Delta掺杂制备p-GaN薄膜及其电性能研究
Delta참잡제비p-GaN박막급기전성능연구
Studies on electrical properties of delta-doping p-GaN films
  • 万方数据
    物理学报 물이학보

    2007年 2期 1036-1040 ,共5页

    李彤%王怀兵%刘建平%牛南辉%张念国%邢艳辉%韩军%刘莹%高国%沈光地

    리동%왕부병%류건평%우남휘%장념국%형염휘%한군%류형%고국%침광지

    氮化镓%LEDs%MOCVD%Delta掺杂 氮化鎵%LEDs%MOCVD%Delta摻雜
    담화가%LEDs%MOCVD%Delta참잡
    采用Delta掺杂技术制备了p型氮化镓薄膜,并利用原子力显微镜、霍尔测试、X射线衍射、荧光光谱等测试手段对样品的形貌和电导性能进行了分析,发现Delta掺杂样品比均匀掺杂样品晶体质量和电导性能都有很大提高,说明Delta掺杂可有效抑制缺陷,并对缺陷抑制机理进行了讨论;最后,对掺杂前的预通氨过程作了深入的研究,结果发现,预通氨对掺杂不益.
    채용Delta참잡기술제비료p형담화가박막,병이용원자력현미경、곽이측시、X사선연사、형광광보등측시수단대양품적형모화전도성능진행료분석,발현Delta참잡양품비균균참잡양품정체질량화전도성능도유흔대제고,설명Delta참잡가유효억제결함,병대결함억제궤리진행료토론;최후,대참잡전적예통안과정작료심입적연구,결과발현,예통안대참잡불익.
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