半导体学报
半導體學報
반도체학보
CHINESE JOURNAL OF SEMICONDUCTORS
2007年
3期
425-429
,共5页
简中祥%叶志镇%高国华%卢洋藩%赵炳辉%曾昱嘉%朱丽萍
簡中祥%葉誌鎮%高國華%盧洋藩%趙炳輝%曾昱嘉%硃麗萍
간중상%협지진%고국화%로양번%조병휘%증욱가%주려평
ZnMgO%p型掺杂%薄膜
ZnMgO%p型摻雜%薄膜
ZnMgO%p형참잡%박막
利用直流反应磁控溅射法,以N2O为N掺杂源,用Al-N共掺技术制备了p型Zn0.95Mg0.05O薄膜.用X射线衍射分析(XRD)、Hall测试仪和紫外可见(UV)透射谱等研究方法对其晶体结构、电学性能和禁带宽度进行分析.XRD分析结果表明,Zn0.95Mg0.05O薄膜具有良好的晶格取向,Hall测试的结果所得p型Zn0.95Mg0.05O薄膜最低电阻率为58.5Ω·cm,载流子浓度为1.95×1017 cm-3,迁移率为0.546cm2/(V·s),UV透射谱所推出的薄膜禁带宽度中,纯ZnO,p型Zn0.95Mg0.05O和p型Zn0.9Mg0.1O分别为3.34,3.39和3.46eV,可以看出Mg在ZnO禁带宽度中起了调节作用.
利用直流反應磁控濺射法,以N2O為N摻雜源,用Al-N共摻技術製備瞭p型Zn0.95Mg0.05O薄膜.用X射線衍射分析(XRD)、Hall測試儀和紫外可見(UV)透射譜等研究方法對其晶體結構、電學性能和禁帶寬度進行分析.XRD分析結果錶明,Zn0.95Mg0.05O薄膜具有良好的晶格取嚮,Hall測試的結果所得p型Zn0.95Mg0.05O薄膜最低電阻率為58.5Ω·cm,載流子濃度為1.95×1017 cm-3,遷移率為0.546cm2/(V·s),UV透射譜所推齣的薄膜禁帶寬度中,純ZnO,p型Zn0.95Mg0.05O和p型Zn0.9Mg0.1O分彆為3.34,3.39和3.46eV,可以看齣Mg在ZnO禁帶寬度中起瞭調節作用.
이용직류반응자공천사법,이N2O위N참잡원,용Al-N공참기술제비료p형Zn0.95Mg0.05O박막.용X사선연사분석(XRD)、Hall측시의화자외가견(UV)투사보등연구방법대기정체결구、전학성능화금대관도진행분석.XRD분석결과표명,Zn0.95Mg0.05O박막구유량호적정격취향,Hall측시적결과소득p형Zn0.95Mg0.05O박막최저전조솔위58.5Ω·cm,재류자농도위1.95×1017 cm-3,천이솔위0.546cm2/(V·s),UV투사보소추출적박막금대관도중,순ZnO,p형Zn0.95Mg0.05O화p형Zn0.9Mg0.1O분별위3.34,3.39화3.46eV,가이간출Mg재ZnO금대관도중기료조절작용.
