核电子学与探测技术
覈電子學與探測技術
핵전자학여탐측기술
NUCLEAR ELECTRONICS & DETECTION TECHNOLOGY
2010年
4期
577-580
,共4页
张子良%张建勇%姜小盼%秦秀波%王宝义%侯新生
張子良%張建勇%薑小盼%秦秀波%王寶義%侯新生
장자량%장건용%강소반%진수파%왕보의%후신생
中子损伤%P型HPGe%中子注量%能量分辨率
中子損傷%P型HPGe%中子註量%能量分辨率
중자손상%P형HPGe%중자주량%능량분변솔
采用钚碳源(PuC)来刻度HPGe探测器,通过实验结果分析,探讨了快中子对HPGe探测器的损伤的影响以及石蜡材料对屏蔽中子的效应;研究了中子能量注量对P型高纯锗探测器HPGe的能量分辨率的影响,以及其能量分辨率随屏蔽材料厚度的变化关系.
採用钚碳源(PuC)來刻度HPGe探測器,通過實驗結果分析,探討瞭快中子對HPGe探測器的損傷的影響以及石蠟材料對屏蔽中子的效應;研究瞭中子能量註量對P型高純鍺探測器HPGe的能量分辨率的影響,以及其能量分辨率隨屏蔽材料厚度的變化關繫.
채용비탄원(PuC)래각도HPGe탐측기,통과실험결과분석,탐토료쾌중자대HPGe탐측기적손상적영향이급석사재료대병폐중자적효응;연구료중자능량주량대P형고순타탐측기HPGe적능량분변솔적영향,이급기능량분변솔수병폐재료후도적변화관계.
