功能材料与器件学报
功能材料與器件學報
공능재료여기건학보
JOURNAL OF FUNCTIONAL MATERIALS AND DEVICES
2010年
3期
289-293
,共5页
白旭旭%介万奇%查钢强%王涛%傅莉
白旭旭%介萬奇%查鋼彊%王濤%傅莉
백욱욱%개만기%사강강%왕도%부리
肖特基%Al/CdZnTe%I-V%C-V
肖特基%Al/CdZnTe%I-V%C-V
초특기%Al/CdZnTe%I-V%C-V
在CdZnTe表面采用真空蒸镀制备了Au和Al电极,研究了在N2氛围退火对Al/CdZnTe接触特性的影响.退火温度在100℃到300℃之间变化,退火时间为5 min.采用Agilent4155c半导体测试仪测试了样品在不同温度退火后的I-V特性.采用Agilent 4294A高精度阻抗分析仪测试了样品在不同温度退火后的C-V特性.I-V和C-V曲线表明,低温退火会使接触势垒高度增加,理想因子趋近于1,电容值下降为退火前的一半左右.当退火温度高于250℃时,接触势垒高度下降,理想因子偏离1,电容值下降近一个数量级.
在CdZnTe錶麵採用真空蒸鍍製備瞭Au和Al電極,研究瞭在N2氛圍退火對Al/CdZnTe接觸特性的影響.退火溫度在100℃到300℃之間變化,退火時間為5 min.採用Agilent4155c半導體測試儀測試瞭樣品在不同溫度退火後的I-V特性.採用Agilent 4294A高精度阻抗分析儀測試瞭樣品在不同溫度退火後的C-V特性.I-V和C-V麯線錶明,低溫退火會使接觸勢壘高度增加,理想因子趨近于1,電容值下降為退火前的一半左右.噹退火溫度高于250℃時,接觸勢壘高度下降,理想因子偏離1,電容值下降近一箇數量級.
재CdZnTe표면채용진공증도제비료Au화Al전겁,연구료재N2분위퇴화대Al/CdZnTe접촉특성적영향.퇴화온도재100℃도300℃지간변화,퇴화시간위5 min.채용Agilent4155c반도체측시의측시료양품재불동온도퇴화후적I-V특성.채용Agilent 4294A고정도조항분석의측시료양품재불동온도퇴화후적C-V특성.I-V화C-V곡선표명,저온퇴화회사접촉세루고도증가,이상인자추근우1,전용치하강위퇴화전적일반좌우.당퇴화온도고우250℃시,접촉세루고도하강,이상인자편리1,전용치하강근일개수량급.
