厦门理工学院学报
廈門理工學院學報
하문리공학원학보
JOURNAL OF XIAMEN UNIVERSITY OF TECHNOLOGY
2010年
4期
16-19
,共4页
纳米材料%ZnO%正交实验%场发射
納米材料%ZnO%正交實驗%場髮射
납미재료%ZnO%정교실험%장발사
采用高温气相法生长四针状纳米ZnO.从扫描电子显微镜(SEM)照片可以得出在氧气流量为2 SCCM,950 ℃下生长的ZnO具有较好的表面形貌,且四个针脚较均匀.场发射测试表明,在最佳工艺下生长的四针状纳米ZnO的开启场强为2.45 V/μm,阈值场强为3.4 V/μm,在阳极电压为1 850 V时,发光亮度达到1 520 cd/m2.实验证明四针状纳米ZnO是一种优良的场致发射的阴极材料,有望在场致发射器件中广泛应用.
採用高溫氣相法生長四針狀納米ZnO.從掃描電子顯微鏡(SEM)照片可以得齣在氧氣流量為2 SCCM,950 ℃下生長的ZnO具有較好的錶麵形貌,且四箇針腳較均勻.場髮射測試錶明,在最佳工藝下生長的四針狀納米ZnO的開啟場彊為2.45 V/μm,閾值場彊為3.4 V/μm,在暘極電壓為1 850 V時,髮光亮度達到1 520 cd/m2.實驗證明四針狀納米ZnO是一種優良的場緻髮射的陰極材料,有望在場緻髮射器件中廣汎應用.
채용고온기상법생장사침상납미ZnO.종소묘전자현미경(SEM)조편가이득출재양기류량위2 SCCM,950 ℃하생장적ZnO구유교호적표면형모,차사개침각교균균.장발사측시표명,재최가공예하생장적사침상납미ZnO적개계장강위2.45 V/μm,역치장강위3.4 V/μm,재양겁전압위1 850 V시,발광량도체도1 520 cd/m2.실험증명사침상납미ZnO시일충우량적장치발사적음겁재료,유망재장치발사기건중엄범응용.
