应用化学
應用化學
응용화학
CHINESE JOURNAL OF APPLIED CHEMISTRY
2011年
1期
55-59
,共5页
王艳茹%李文坡%吴进芳%张胜涛
王豔茹%李文坡%吳進芳%張勝濤
왕염여%리문파%오진방%장성도
原位椭圆偏振光谱法%铅电沉积%铜
原位橢圓偏振光譜法%鉛電沉積%銅
원위타원편진광보법%연전침적%동
采用循环伏安法(CV)和原位椭圆偏振法(SE)研究铅在铜电极上的电沉积行为.原位椭圆偏振参数ψ和△值的变化率在CV图峰电位处同时出现极值.通过建立单层膜模型描述"电极-溶液"界面的结构并对椭圆偏振光谱数据进行拟合得到铅沉积层厚度随电位的变化规律.拟合结果显示,铅在铜电极上的电沉积有3个不同的沉积速率,-0.20～-0.35 V之间沉积速率为0.003 nm/mV,-0.35～-0.48 V之间沉积速率为0.025 nm/mV,-0.48～-0.60 V之间沉积速率为0.116 nm/mV,由此表明铅的电沉积分为3个不同阶段:欠电位沉积阶段、欠电位沉积向本体沉积的过渡阶段和本体沉积阶段.
採用循環伏安法(CV)和原位橢圓偏振法(SE)研究鉛在銅電極上的電沉積行為.原位橢圓偏振參數ψ和△值的變化率在CV圖峰電位處同時齣現極值.通過建立單層膜模型描述"電極-溶液"界麵的結構併對橢圓偏振光譜數據進行擬閤得到鉛沉積層厚度隨電位的變化規律.擬閤結果顯示,鉛在銅電極上的電沉積有3箇不同的沉積速率,-0.20～-0.35 V之間沉積速率為0.003 nm/mV,-0.35～-0.48 V之間沉積速率為0.025 nm/mV,-0.48～-0.60 V之間沉積速率為0.116 nm/mV,由此錶明鉛的電沉積分為3箇不同階段:欠電位沉積階段、欠電位沉積嚮本體沉積的過渡階段和本體沉積階段.
채용순배복안법(CV)화원위타원편진법(SE)연구연재동전겁상적전침적행위.원위타원편진삼수ψ화△치적변화솔재CV도봉전위처동시출현겁치.통과건립단층막모형묘술"전겁-용액"계면적결구병대타원편진광보수거진행의합득도연침적층후도수전위적변화규률.의합결과현시,연재동전겁상적전침적유3개불동적침적속솔,-0.20～-0.35 V지간침적속솔위0.003 nm/mV,-0.35～-0.48 V지간침적속솔위0.025 nm/mV,-0.48～-0.60 V지간침적속솔위0.116 nm/mV,유차표명연적전침적분위3개불동계단:흠전위침적계단、흠전위침적향본체침적적과도계단화본체침적계단.
