微电子学与计算机
微電子學與計算機
미전자학여계산궤
MICROELECTRONICS & COMPUTER
2005年
8期
48-50,54
,共4页
胡高宏%张玉林%丘明%齐志平%冯之钺
鬍高宏%張玉林%丘明%齊誌平%馮之鉞
호고굉%장옥림%구명%제지평%풍지월
功率MOSFET%低温%阈值电压%通态阻抗
功率MOSFET%低溫%閾值電壓%通態阻抗
공솔MOSFET%저온%역치전압%통태조항
文章完成了对功率MOSFET(Metal Oxide Semiconductor Field Effect Transistor)阈值电压和通态阻抗在77K-300K范围内的实验测试,并结合上述两个参数宽温区的数学模型进行了相应的分析,从实验结果中,我们发现阀值电压随温度的降低略有升高;而通态阻抗随温度的降低则下降得非常明显.通态阻抗是影响功率MOSFET开关损耗的重要参数,所以在低温下功率MOSFET的开关损耗将大幅度下降.
文章完成瞭對功率MOSFET(Metal Oxide Semiconductor Field Effect Transistor)閾值電壓和通態阻抗在77K-300K範圍內的實驗測試,併結閤上述兩箇參數寬溫區的數學模型進行瞭相應的分析,從實驗結果中,我們髮現閥值電壓隨溫度的降低略有升高;而通態阻抗隨溫度的降低則下降得非常明顯.通態阻抗是影響功率MOSFET開關損耗的重要參數,所以在低溫下功率MOSFET的開關損耗將大幅度下降.
문장완성료대공솔MOSFET(Metal Oxide Semiconductor Field Effect Transistor)역치전압화통태조항재77K-300K범위내적실험측시,병결합상술량개삼수관온구적수학모형진행료상응적분석,종실험결과중,아문발현벌치전압수온도적강저략유승고;이통태조항수온도적강저칙하강득비상명현.통태조항시영향공솔MOSFET개관손모적중요삼수,소이재저온하공솔MOSFET적개관손모장대폭도하강.
