电子元件与材料
電子元件與材料
전자원건여재료
ELECTRONIC COMPONENTS & MATERIALS
2005年
9期
52-54
,共3页
复合材料%铝基板%阳极氧化%草酸%破坏温度
複閤材料%鋁基闆%暘極氧化%草痠%破壞溫度
복합재료%려기판%양겁양화%초산%파배온도
对铝基板在草酸体系下阳极氧化成膜温度进行了研究,发现膜的起始破坏温度为32.5℃,而与草酸电解液的浓度关系不大.通过XRD、SEM对膜层进行了分析,并测试了膜层的绝缘性能.结果表明:氧化膜层是以非晶态形式存在的,膜表面存在直径80 nm左右的针状物,形成Al(OH)3水合物.较高溶液温度下,草酸的溶解作用加剧了膜层断面开裂、膜质疏松等缺陷,严重影响着膜层的绝缘性能,温度不超过32.5℃,能得到均匀、致密的膜层.
對鋁基闆在草痠體繫下暘極氧化成膜溫度進行瞭研究,髮現膜的起始破壞溫度為32.5℃,而與草痠電解液的濃度關繫不大.通過XRD、SEM對膜層進行瞭分析,併測試瞭膜層的絕緣性能.結果錶明:氧化膜層是以非晶態形式存在的,膜錶麵存在直徑80 nm左右的針狀物,形成Al(OH)3水閤物.較高溶液溫度下,草痠的溶解作用加劇瞭膜層斷麵開裂、膜質疏鬆等缺陷,嚴重影響著膜層的絕緣性能,溫度不超過32.5℃,能得到均勻、緻密的膜層.
대려기판재초산체계하양겁양화성막온도진행료연구,발현막적기시파배온도위32.5℃,이여초산전해액적농도관계불대.통과XRD、SEM대막층진행료분석,병측시료막층적절연성능.결과표명:양화막층시이비정태형식존재적,막표면존재직경80 nm좌우적침상물,형성Al(OH)3수합물.교고용액온도하,초산적용해작용가극료막층단면개렬、막질소송등결함,엄중영향착막층적절연성능,온도불초과32.5℃,능득도균균、치밀적막층.
