西安交通大学学报
西安交通大學學報
서안교통대학학보
JOURNAL OF XI'AN JIAOTONG UNIVERSITY
2010年
8期
58-62
,共5页
透明导电薄膜%氧化锌%Urbach带尾%磁控溅射
透明導電薄膜%氧化鋅%Urbach帶尾%磁控濺射
투명도전박막%양화자%Urbach대미%자공천사
室温下利用射频磁控溅射法在石英玻璃衬底上制备了掺Ga氧化锌(Ca:ZnO)多晶透明导电薄膜.通过改变磁控溅射生长过程中的溅射功率密度和靶基距,研究了多晶薄膜的透明导电性能与生长参数的相互影响关系.研究结果表明:当溅射时间相同时,随溅射功率密度的增加和靶基距的减小,Ga:ZnO薄膜的厚度增加,从而导致了薄膜导电率升高;当溅射功率密度为5.3W/cm2、靶基距为5cm时,Ga:ZnO薄膜的最小电阻率达到3.1×10-4Ω·cm.透光率测试结果表明:当溅射功率密度增加时,Ga:ZnO薄膜中紫外光学吸收发生了红移;增加溅射功率密度会造成薄膜中掺杂缺陷密度增加,产生禁带之间Urbach带尾能级吸收效应;GaZnO薄膜在可见光范围中的平均透光率大于80%.
室溫下利用射頻磁控濺射法在石英玻璃襯底上製備瞭摻Ga氧化鋅(Ca:ZnO)多晶透明導電薄膜.通過改變磁控濺射生長過程中的濺射功率密度和靶基距,研究瞭多晶薄膜的透明導電性能與生長參數的相互影響關繫.研究結果錶明:噹濺射時間相同時,隨濺射功率密度的增加和靶基距的減小,Ga:ZnO薄膜的厚度增加,從而導緻瞭薄膜導電率升高;噹濺射功率密度為5.3W/cm2、靶基距為5cm時,Ga:ZnO薄膜的最小電阻率達到3.1×10-4Ω·cm.透光率測試結果錶明:噹濺射功率密度增加時,Ga:ZnO薄膜中紫外光學吸收髮生瞭紅移;增加濺射功率密度會造成薄膜中摻雜缺陷密度增加,產生禁帶之間Urbach帶尾能級吸收效應;GaZnO薄膜在可見光範圍中的平均透光率大于80%.
실온하이용사빈자공천사법재석영파리츤저상제비료참Ga양화자(Ca:ZnO)다정투명도전박막.통과개변자공천사생장과정중적천사공솔밀도화파기거,연구료다정박막적투명도전성능여생장삼수적상호영향관계.연구결과표명:당천사시간상동시,수천사공솔밀도적증가화파기거적감소,Ga:ZnO박막적후도증가,종이도치료박막도전솔승고;당천사공솔밀도위5.3W/cm2、파기거위5cm시,Ga:ZnO박막적최소전조솔체도3.1×10-4Ω·cm.투광솔측시결과표명:당천사공솔밀도증가시,Ga:ZnO박막중자외광학흡수발생료홍이;증가천사공솔밀도회조성박막중참잡결함밀도증가,산생금대지간Urbach대미능급흡수효응;GaZnO박막재가견광범위중적평균투광솔대우80%.
