电源技术
電源技術
전원기술
CHINESE JOURNAL OF POWER SOURCES
2011年
6期
670-672
,共3页
多晶硅%氧化%方块电阻%变化
多晶硅%氧化%方塊電阻%變化
다정규%양화%방괴전조%변화
通过实验发现,多晶硅片在不同温度下氧化后方块电阻的变化情况不同.温度较高时,氧化后方块电阻降低;温度较低时,氧化后方块电阻升高;单晶硅在任何温度下氧化后方块电阻都是降低的.通过分析认为是多晶硅的结构使其氧化后方块电阻的变化情况与单晶硅不同.
通過實驗髮現,多晶硅片在不同溫度下氧化後方塊電阻的變化情況不同.溫度較高時,氧化後方塊電阻降低;溫度較低時,氧化後方塊電阻升高;單晶硅在任何溫度下氧化後方塊電阻都是降低的.通過分析認為是多晶硅的結構使其氧化後方塊電阻的變化情況與單晶硅不同.
통과실험발현,다정규편재불동온도하양화후방괴전조적변화정황불동.온도교고시,양화후방괴전조강저;온도교저시,양화후방괴전조승고;단정규재임하온도하양화후방괴전조도시강저적.통과분석인위시다정규적결구사기양화후방괴전조적변화정황여단정규불동.
