压电与声光
壓電與聲光
압전여성광
PIEZOELECTRICS & ACOUSTOOPTICS
2011年
3期
475-478
,共4页
薛守迪%杨成韬%解群眺%毛世平
薛守迪%楊成韜%解群眺%毛世平
설수적%양성도%해군조%모세평
AIN薄膜%衬底温度%XRD%原子力显微镜(AFM)
AIN薄膜%襯底溫度%XRD%原子力顯微鏡(AFM)
AIN박막%츤저온도%XRD%원자력현미경(AFM)
采用直流反应磁控溅射法在Si(111)基片上制备了AIN薄膜,利用XRD、原子力显微镜(AFM)、电流-电压(I-V)测试仪等对不同衬底下制备薄膜的结构、形貌及电阻率等进行了分析表征.结果表明:随着衬底温度的升高,晶粒逐渐长大,AIN(002)择优取向明显改善,600℃达到最佳.一定范围内提高温度使晶粒均匀、致密,有利于改善表面粗糙情况和提高电阻率,550℃时表面粗糙度达到最低(2.8 nm)且有最大的电阻率(3.35×1012Ω·cm);同时薄膜应力随温度升高有增大趋势.
採用直流反應磁控濺射法在Si(111)基片上製備瞭AIN薄膜,利用XRD、原子力顯微鏡(AFM)、電流-電壓(I-V)測試儀等對不同襯底下製備薄膜的結構、形貌及電阻率等進行瞭分析錶徵.結果錶明:隨著襯底溫度的升高,晶粒逐漸長大,AIN(002)擇優取嚮明顯改善,600℃達到最佳.一定範圍內提高溫度使晶粒均勻、緻密,有利于改善錶麵粗糙情況和提高電阻率,550℃時錶麵粗糙度達到最低(2.8 nm)且有最大的電阻率(3.35×1012Ω·cm);同時薄膜應力隨溫度升高有增大趨勢.
채용직류반응자공천사법재Si(111)기편상제비료AIN박막,이용XRD、원자력현미경(AFM)、전류-전압(I-V)측시의등대불동츤저하제비박막적결구、형모급전조솔등진행료분석표정.결과표명:수착츤저온도적승고,정립축점장대,AIN(002)택우취향명현개선,600℃체도최가.일정범위내제고온도사정립균균、치밀,유리우개선표면조조정황화제고전조솔,550℃시표면조조도체도최저(2.8 nm)차유최대적전조솔(3.35×1012Ω·cm);동시박막응력수온도승고유증대추세.
