微电子学
微電子學
미전자학
MICROELECTRONICS
2012年
1期
50-53
,共4页
臧松干%王鹏飞%林曦%刘昕彦%丁士进%张卫
臧鬆榦%王鵬飛%林晞%劉昕彥%丁士進%張衛
장송간%왕붕비%림희%류흔언%정사진%장위
嵌入式动态随机存储器%栅控二极管%隧穿场效应晶体管
嵌入式動態隨機存儲器%柵控二極管%隧穿場效應晶體管
감입식동태수궤존저기%책공이겁관%수천장효응정체관
基于二维器件模拟工具,研究了一种采用栅控二极管作为写操作单元的新型平面无电容动态随机存储器.该器件由一个n型浮栅MOSFET和一个栅控二极管组成.MOSFET的p型掺杂多晶硅浮栅作为栅控二极管的p型掺杂区,同时也是电荷存储单元.写“0”操作通过正向偏置二极管实现,而写“1”操作通过反向偏置二极管,同时在控制栅上加负电压使栅控二极管工作为隧穿场效应晶体管(Tunneling FET)来实现.由于正向偏置二极管和隧穿晶体管开启时接近1μA/μm的电流密度,实现了高速写操作过程,而且该器件的制造工艺与闪烁存储器和逻辑器件的制造兼容,因此适合在片上系统(SOC)中作为嵌入式动态随机存储器使用.
基于二維器件模擬工具,研究瞭一種採用柵控二極管作為寫操作單元的新型平麵無電容動態隨機存儲器.該器件由一箇n型浮柵MOSFET和一箇柵控二極管組成.MOSFET的p型摻雜多晶硅浮柵作為柵控二極管的p型摻雜區,同時也是電荷存儲單元.寫“0”操作通過正嚮偏置二極管實現,而寫“1”操作通過反嚮偏置二極管,同時在控製柵上加負電壓使柵控二極管工作為隧穿場效應晶體管(Tunneling FET)來實現.由于正嚮偏置二極管和隧穿晶體管開啟時接近1μA/μm的電流密度,實現瞭高速寫操作過程,而且該器件的製造工藝與閃爍存儲器和邏輯器件的製造兼容,因此適閤在片上繫統(SOC)中作為嵌入式動態隨機存儲器使用.
기우이유기건모의공구,연구료일충채용책공이겁관작위사조작단원적신형평면무전용동태수궤존저기.해기건유일개n형부책MOSFET화일개책공이겁관조성.MOSFET적p형참잡다정규부책작위책공이겁관적p형참잡구,동시야시전하존저단원.사“0”조작통과정향편치이겁관실현,이사“1”조작통과반향편치이겁관,동시재공제책상가부전압사책공이겁관공작위수천장효응정체관(Tunneling FET)래실현.유우정향편치이겁관화수천정체관개계시접근1μA/μm적전류밀도,실현료고속사조작과정,이차해기건적제조공예여섬삭존저기화라집기건적제조겸용,인차괄합재편상계통(SOC)중작위감입식동태수궤존저기사용.
