电子在半导体多势垒结构中隧穿现象的研究与进展
전자재반도체다세루결구중수천현상적연구여진전
Research and Development of Tunneling Effect through Semiconductor Multi-barrier Structures
  • 万方数据
    固体电子学研究与进展 고체전자학연구여진전
    RESEARCH & PROGRESS OF SOLID STATE ELECTRONICS
    2005年 4期 450-455 ,共6页

    王洪梅%刘丕均%张亚非

    왕홍매%류비균%장아비

    势垒%隧穿现象%耦合%共振准能级%寿命 勢壘%隧穿現象%耦閤%共振準能級%壽命
    세루%수천현상%우합%공진준능급%수명
    文中以探索多势垒结构的电子隧穿物理及其器件结构与性能为出发点,论述了多势垒结构隧穿现象的研究与进展.概述了一维半导体异质结构隧穿现象的解析解和数值计算.重点介绍了电子通过半导体双势垒结构产生隧穿现象的研究进展,即电子通过双势垒结构横纵波矢的耦合行为与共振准能级及共振准能级寿命的解析计算.
    문중이탐색다세루결구적전자수천물리급기기건결구여성능위출발점,논술료다세루결구수천현상적연구여진전.개술료일유반도체이질결구수천현상적해석해화수치계산.중점개소료전자통과반도체쌍세루결구산생수천현상적연구진전,즉전자통과쌍세루결구횡종파시적우합행위여공진준능급급공진준능급수명적해석계산.
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