半导体学报
半導體學報
반도체학보
CHINESE JOURNAL OF SEMICONDUCTORS
2008年
5期
954-959
,共6页
有限元分析%温度分布%薄膜晶体管%自加热退化%稳态及瞬态模拟
有限元分析%溫度分佈%薄膜晶體管%自加熱退化%穩態及瞬態模擬
유한원분석%온도분포%박막정체관%자가열퇴화%은태급순태모의
采用有限元方法模拟了n型MILC低温多晶硅薄膜晶体管在直流自加热应力下器件的温度分布.通过对器件沟道温度分布的稳态及瞬态模拟,研究了器件功率密度、衬底材料类型和器件宽长等关键因素的影响.确认了改善器件自加热退化的有效途径,同时有助于揭示多晶硅薄膜晶体管自加热退化的内在机制.
採用有限元方法模擬瞭n型MILC低溫多晶硅薄膜晶體管在直流自加熱應力下器件的溫度分佈.通過對器件溝道溫度分佈的穩態及瞬態模擬,研究瞭器件功率密度、襯底材料類型和器件寬長等關鍵因素的影響.確認瞭改善器件自加熱退化的有效途徑,同時有助于揭示多晶硅薄膜晶體管自加熱退化的內在機製.
채용유한원방법모의료n형MILC저온다정규박막정체관재직류자가열응력하기건적온도분포.통과대기건구도온도분포적은태급순태모의,연구료기건공솔밀도、츤저재료류형화기건관장등관건인소적영향.학인료개선기건자가열퇴화적유효도경,동시유조우게시다정규박막정체관자가열퇴화적내재궤제.
