InGaN薄膜中电子自旋偏振弛豫的时间分辨吸收光谱研究
InGaN박막중전자자선편진이예적시간분변흡수광보연구
Study of injection and relaxation of electron spins in InGaN film by time-resolved absorption spectroscopy
  • 万方数据
    物理学报 물이학보

    2008年 6期 3853-3856 ,共4页

    陈小雪%滕利华%刘晓东%黄绮雯%文锦辉%林位株%赖天树

    진소설%등리화%류효동%황기문%문금휘%림위주%뢰천수

    电子自旋%InGaN%自旋极化%自旋弛豫 電子自鏇%InGaN%自鏇極化%自鏇弛豫
    전자자선%InGaN%자선겁화%자선이예
    采用飞秒时间分辨圆偏振光抽运-探测光谱对In0.1Ga0.9N薄膜的电子自旋注入和弛豫进行了研究.获得初始自旋偏振度约为0.2,此结果支持在圆偏振光激发下,重、轻空穴带的跃迁强度比为3:1,而不支持1:1或1:0.94的观点.同时获得自旋偏振弛豫时间为490±70ps,定性分析了自旋弛豫机理,认为BAP机理是电子自旋弛豫的主要机理.
    채용비초시간분변원편진광추운-탐측광보대In0.1Ga0.9N박막적전자자선주입화이예진행료연구.획득초시자선편진도약위0.2,차결과지지재원편진광격발하,중、경공혈대적약천강도비위3:1,이불지지1:1혹1:0.94적관점.동시획득자선편진이예시간위490±70ps,정성분석료자선이예궤리,인위BAP궤리시전자자선이예적주요궤리.
    원문보기 원문다운로드 사이트로이동
저자의 최근 논문