宇航材料工艺
宇航材料工藝
우항재료공예
AEROSPACE MATERIALS & TECHNOLOGY
2009年
3期
21-24
,共4页
陈思员%姜贵庆%俞继军%欧东斌
陳思員%薑貴慶%俞繼軍%歐東斌
진사원%강귀경%유계군%구동빈
抗氧化%碳化硅%转捩温度
抗氧化%碳化硅%轉捩溫度
항양화%탄화규%전렬온도
对SiC材料的抗氧化性能进行了试验,研究了该材料的氧化机制以及由被动氧化至主动氧化的转捩温度.结果表明,SiC材料在一定的氧分压环境中,表面温度低于转捩温度时,会在表面形成SiO2薄膜,薄膜厚度和时间的平方根成正比.表面温度高于转捩温度时材料发生主动氧化,材料表面发生烧蚀.
對SiC材料的抗氧化性能進行瞭試驗,研究瞭該材料的氧化機製以及由被動氧化至主動氧化的轉捩溫度.結果錶明,SiC材料在一定的氧分壓環境中,錶麵溫度低于轉捩溫度時,會在錶麵形成SiO2薄膜,薄膜厚度和時間的平方根成正比.錶麵溫度高于轉捩溫度時材料髮生主動氧化,材料錶麵髮生燒蝕.
대SiC재료적항양화성능진행료시험,연구료해재료적양화궤제이급유피동양화지주동양화적전렬온도.결과표명,SiC재료재일정적양분압배경중,표면온도저우전렬온도시,회재표면형성SiO2박막,박막후도화시간적평방근성정비.표면온도고우전렬온도시재료발생주동양화,재료표면발생소식.
