电子工业专用设备
電子工業專用設備
전자공업전용설비
EQUIPMENT FOR ELECTRONIC PRODUCTS MANUFACTURING
2011年
6期
24-26,56
,共4页
王俭峰%佟丽英%李亚光%李秀强
王儉峰%佟麗英%李亞光%李秀彊
왕검봉%동려영%리아광%리수강
TEOS源%LPCVD%淀积速率%均匀性
TEOS源%LPCVD%澱積速率%均勻性
TEOS원%LPCVD%정적속솔%균균성
采用TEOS源LPCVD法制备了SiO2薄膜,采用膜厚仪对薄膜的厚度进行测试.通过不同条件下SiO2薄膜的厚度变化,讨论了TEOS源温度、反应压力及反应温度等工艺条件对淀积速率和均匀性的影响.结果表明,在40℃,50 Pa左右,淀积速率随TEOS源温度、反应压力基本呈线性增大.通过多次试验改进,提出了SiO2膜淀积的典型工艺条件.
採用TEOS源LPCVD法製備瞭SiO2薄膜,採用膜厚儀對薄膜的厚度進行測試.通過不同條件下SiO2薄膜的厚度變化,討論瞭TEOS源溫度、反應壓力及反應溫度等工藝條件對澱積速率和均勻性的影響.結果錶明,在40℃,50 Pa左右,澱積速率隨TEOS源溫度、反應壓力基本呈線性增大.通過多次試驗改進,提齣瞭SiO2膜澱積的典型工藝條件.
채용TEOS원LPCVD법제비료SiO2박막,채용막후의대박막적후도진행측시.통과불동조건하SiO2박막적후도변화,토론료TEOS원온도、반응압력급반응온도등공예조건대정적속솔화균균성적영향.결과표명,재40℃,50 Pa좌우,정적속솔수TEOS원온도、반응압력기본정선성증대.통과다차시험개진,제출료SiO2막정적적전형공예조건.
