GaAs衬底生长的立方GaN晶片键合技术
GaAs츤저생장적립방GaN정편건합기술
  • 万方数据
    中国科学E辑 중국과학E집
    SCIENCE IN CHINA (SERIES E)
    2002年 5期 584-589 ,共6页

    孙元平%付羿%渠波%王玉田%冯志宏%赵德刚%郑新和%段俐宏%李秉臣%张书明%杨辉%姜晓明%郑文莉%贾全杰

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    GaN%晶片键合%立方相%衬底去除 GaN%晶片鍵閤%立方相%襯底去除
    GaN%정편건합%립방상%츤저거제
    利用晶片键合技术通过多层金属膜成功地把立方相GaN LED结构键合到新衬底Si上,并且利用湿法腐蚀技术去掉了原GaAs衬底.SEM和PL观察表明,利用键合技术可以完整地把立方相GaN外延薄膜转移到新的衬底上而不改变外延层的物理和光学性质.XRD(X射线衍射)结果分析显示,键合后的样品中出现了新的合金和化合物:AuGa2,Ni4N,意味着用来作为黏附层和形成Ohm接触的Ni/Au膜与p-GaN形成了紧密的结合,保证了金属膜与GaN层的牢固度和界面的小接触电阻,成功地完成了键合,为下一步以GaAs吸收衬底生长的GaN基器件的研制打下了基础.
    이용정편건합기술통과다층금속막성공지파립방상GaN LED결구건합도신츤저Si상,병차이용습법부식기술거도료원GaAs츤저.SEM화PL관찰표명,이용건합기술가이완정지파립방상GaN외연박막전이도신적츤저상이불개변외연층적물리화광학성질.XRD(X사선연사)결과분석현시,건합후적양품중출현료신적합금화화합물:AuGa2,Ni4N,의미착용래작위점부층화형성Ohm접촉적Ni/Au막여p-GaN형성료긴밀적결합,보증료금속막여GaN층적뢰고도화계면적소접촉전조,성공지완성료건합,위하일보이GaAs흡수츤저생장적GaN기기건적연제타하료기출.
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