发光学报
髮光學報
발광학보
CHINESE JOURNAL OF LUMINESCENCE
2005年
1期
105-108
,共4页
赖国洪%彭俊彪%李政林%程兰%曹镛
賴國洪%彭俊彪%李政林%程蘭%曹鏞
뢰국홍%팽준표%리정림%정란%조용
导电高分子%聚苯胺%薄膜%场发射
導電高分子%聚苯胺%薄膜%場髮射
도전고분자%취분알%박막%장발사
用掺杂樟脑磺酸的聚苯胺(PANI-CSA)形成的导电高分子制成的薄膜作为场致发射的阴极材料,用覆盖了荧光层(ZnO:Zn)的氧化铟锡(ITO)做阳极,由所制成的显示器件得到比较稳定的场致电子发射,并具有较低的场发射阈值电压.通过研究导电高分子薄膜形貌,初步分析了场发射电流机制.认为导电高分子薄膜产生场发射的原因是薄膜在高电场作用下,首先在平整的高分子薄膜表面形成了尖锥和凹陷,提高了场强增强因子(β).
用摻雜樟腦磺痠的聚苯胺(PANI-CSA)形成的導電高分子製成的薄膜作為場緻髮射的陰極材料,用覆蓋瞭熒光層(ZnO:Zn)的氧化銦錫(ITO)做暘極,由所製成的顯示器件得到比較穩定的場緻電子髮射,併具有較低的場髮射閾值電壓.通過研究導電高分子薄膜形貌,初步分析瞭場髮射電流機製.認為導電高分子薄膜產生場髮射的原因是薄膜在高電場作用下,首先在平整的高分子薄膜錶麵形成瞭尖錐和凹陷,提高瞭場彊增彊因子(β).
용참잡장뇌광산적취분알(PANI-CSA)형성적도전고분자제성적박막작위장치발사적음겁재료,용복개료형광층(ZnO:Zn)적양화인석(ITO)주양겁,유소제성적현시기건득도비교은정적장치전자발사,병구유교저적장발사역치전압.통과연구도전고분자박막형모,초보분석료장발사전류궤제.인위도전고분자박막산생장발사적원인시박막재고전장작용하,수선재평정적고분자박막표면형성료첨추화요함,제고료장강증강인자(β).
