物理学报
物理學報
물이학보
2007年
7期
3990-3995
,共6页
乔明%张波%李肇基%方健%周贤达
喬明%張波%李肇基%方健%週賢達
교명%장파%리조기%방건%주현체
SOI%背栅%体内场降低%LDMOS
SOI%揹柵%體內場降低%LDMOS
SOI%배책%체내장강저%LDMOS
提出一种SOI基背栅体内场降低BG REBULF(back-gate reduced BULk field)耐压技术.其机理是背栅电压诱生界面电荷,调制有源区电场分布,降低体内漏端电场,提高体内源端电场,从而突破习用结构的纵向耐压限制,提高器件的击穿电压.借助二维数值仿真,分析背栅效应对厚膜高压SOI LDMOS(＞600 V)击穿特性的影响,在背栅电压为330 V时,实现器件击穿电压1020 V,较习用结构提高47.83%.该技术的提出,为600 V以上级SOI基高压功率器件和高压集成电路的实现提供了一种新的设计思路.
提齣一種SOI基揹柵體內場降低BG REBULF(back-gate reduced BULk field)耐壓技術.其機理是揹柵電壓誘生界麵電荷,調製有源區電場分佈,降低體內漏耑電場,提高體內源耑電場,從而突破習用結構的縱嚮耐壓限製,提高器件的擊穿電壓.藉助二維數值倣真,分析揹柵效應對厚膜高壓SOI LDMOS(＞600 V)擊穿特性的影響,在揹柵電壓為330 V時,實現器件擊穿電壓1020 V,較習用結構提高47.83%.該技術的提齣,為600 V以上級SOI基高壓功率器件和高壓集成電路的實現提供瞭一種新的設計思路.
제출일충SOI기배책체내장강저BG REBULF(back-gate reduced BULk field)내압기술.기궤리시배책전압유생계면전하,조제유원구전장분포,강저체내루단전장,제고체내원단전장,종이돌파습용결구적종향내압한제,제고기건적격천전압.차조이유수치방진,분석배책효응대후막고압SOI LDMOS(＞600 V)격천특성적영향,재배책전압위330 V시,실현기건격천전압1020 V,교습용결구제고47.83%.해기술적제출,위600 V이상급SOI기고압공솔기건화고압집성전로적실현제공료일충신적설계사로.
