CAJ | 학술논문

采用超高频等离子体增强化学气相沉积(VHF-PECVD)技术研究微晶硅(μc-Si)薄膜的高速沉积过程发现:分别采用100和500 sccm流量制备本征μc-Si材料,将其应用在μc-Si电池i层,电池的电流-电压(I-V)特性有明显的差异.通过微区Raman、原子力显微镜(AFM)和X射线衍射(XRD)测试发现:尽管μc-Si薄膜的晶化率相似,但是小流量情况下制备的薄膜具有较厚的非晶孵化层,晶粒尺寸不一;大流量下制备的材料沿生长方向的纵向均匀性相对较好,晶粒尺寸较小、分布均匀,而且具有〈220〉晶相峰强度高于〈111〉和〈311〉晶相峰强度的特点.因此得出:在高压高速沉积μc-Si薄膜过程中,反应气体流量对μc-Si的纵向结构有很大影响,选择适合的反应气流量能够调节适宜的气体滞留时间,从而减小薄膜的纵向不均匀性.
채용초고빈등리자체증강화학기상침적(VHF-PECVD)기술연구미정규(μc-Si)박막적고속침적과정발현:분별채용100화500 sccm류량제비본정μc-Si재료,장기응용재μc-Si전지i층,전지적전류-전압(I-V)특성유명현적차이.통과미구Raman、원자력현미경(AFM)화X사선연사(XRD)측시발현:진관μc-Si박막적정화솔상사,단시소류량정황하제비적박막구유교후적비정부화층,정립척촌불일;대류량하제비적재료연생장방향적종향균균성상대교호,정립척촌교소、분포균균,이차구유〈220〉정상봉강도고우〈111〉화〈311〉정상봉강도적특점.인차득출:재고압고속침적μc-Si박막과정중,반응기체류량대μc-Si적종향결구유흔대영향,선택괄합적반응기류량능구조절괄의적기체체류시간,종이감소박막적종향불균균성.