微纳电子技术
微納電子技術
미납전자기술
MICRONANOELECTRONIC TECHNOLOGY
2010年
4期
223-227
,共5页
赵金霞%杜江锋%彭明明%朱石平%秘暇%夏建新
趙金霞%杜江鋒%彭明明%硃石平%祕暇%夏建新
조금하%두강봉%팽명명%주석평%비가%하건신
氮化镓%氮化铝镓%椭圆偏振测试%光学常数谱%折射率%消光系数
氮化鎵%氮化鋁鎵%橢圓偏振測試%光學常數譜%摺射率%消光繫數
담화가%담화려가%타원편진측시%광학상수보%절사솔%소광계수
利用椭圆偏振测试仪,对n+ AlGaN/n- AlGaN/超晶格(SL)/AlN/蓝宝石多层复杂结构的椭偏测试方法进行了研究,其中SL层为AlGaN/GaN多层量子阱结构,将其简化为单层处理.通过改变测试条件进行多次测量,分析了结构模型、算法模型及不同入射角度对测试结果的影响,得到了最优测试结构模型和算法模型:粗糙度层(有效介质近似EMA模型)/n+ AlGaN(柯西Cauchy模型)/n- AlGaN(Cauchy)/SL(EMA)/AlN(Cauchy)/蓝宝石.选择55°为入射角,在300~800 nm波长测试得到了各层膜厚和光学常数谱.结果表明,椭偏测试所得各层膜厚度与工艺给出数据相符,但SL层厚度相对而言有较大偏差,这与其结构复杂性有关,尚待进一步研究.各层折射率色散关系正常,n+ AlGaN层折射率与n- AlGaN层折射率相比偏小,这与其较高浓度和较大损伤有关.
利用橢圓偏振測試儀,對n+ AlGaN/n- AlGaN/超晶格(SL)/AlN/藍寶石多層複雜結構的橢偏測試方法進行瞭研究,其中SL層為AlGaN/GaN多層量子阱結構,將其簡化為單層處理.通過改變測試條件進行多次測量,分析瞭結構模型、算法模型及不同入射角度對測試結果的影響,得到瞭最優測試結構模型和算法模型:粗糙度層(有效介質近似EMA模型)/n+ AlGaN(柯西Cauchy模型)/n- AlGaN(Cauchy)/SL(EMA)/AlN(Cauchy)/藍寶石.選擇55°為入射角,在300~800 nm波長測試得到瞭各層膜厚和光學常數譜.結果錶明,橢偏測試所得各層膜厚度與工藝給齣數據相符,但SL層厚度相對而言有較大偏差,這與其結構複雜性有關,尚待進一步研究.各層摺射率色散關繫正常,n+ AlGaN層摺射率與n- AlGaN層摺射率相比偏小,這與其較高濃度和較大損傷有關.
이용타원편진측시의,대n+ AlGaN/n- AlGaN/초정격(SL)/AlN/람보석다층복잡결구적타편측시방법진행료연구,기중SL층위AlGaN/GaN다층양자정결구,장기간화위단층처리.통과개변측시조건진행다차측량,분석료결구모형、산법모형급불동입사각도대측시결과적영향,득도료최우측시결구모형화산법모형:조조도층(유효개질근사EMA모형)/n+ AlGaN(가서Cauchy모형)/n- AlGaN(Cauchy)/SL(EMA)/AlN(Cauchy)/람보석.선택55°위입사각,재300~800 nm파장측시득도료각층막후화광학상수보.결과표명,타편측시소득각층막후도여공예급출수거상부,단SL층후도상대이언유교대편차,저여기결구복잡성유관,상대진일보연구.각층절사솔색산관계정상,n+ AlGaN층절사솔여n- AlGaN층절사솔상비편소,저여기교고농도화교대손상유관.