发光学报
髮光學報
발광학보
CHINESE JOURNAL OF LUMINESCENCE
2010年
6期
904-907
,共4页
刘磊%杨沁玉%王德信%杨平%张菁
劉磊%楊沁玉%王德信%楊平%張菁
류뢰%양심옥%왕덕신%양평%장정
多孔硅纳米颗粒膜%发射光谱%红外光谱%占空比%介质阻挡放电等离子体沉积
多孔硅納米顆粒膜%髮射光譜%紅外光譜%佔空比%介質阻擋放電等離子體沉積
다공규납미과립막%발사광보%홍외광보%점공비%개질조당방전등리자체침적
用介质阻挡放电(DBD)等离子体增强化学气相沉积(PECVD)的方法,以硅烷为源气体,在沉积区域加载脉冲负偏压进行调节,在玻璃基片上沉积得到具有荧光特征的多孔硅纳米颗粒膜.沉积过程的发射光谱结果表明,在412 nm处出现SiH*(A2△→X2π0-0)特征峰,证明放电沉积过程中存在不同程度的硅烷裂解.将脉冲负偏压固定在-300 V,当占空比从0.162增大到0.864时,薄膜的红外光谱显示Si-0-Si在1070cm-1伸缩振动吸收峰与800 cm-1的弯曲振动峰都有所增强,而930 cm-1的Si-H弯曲振动减弱.说明随着占空比的增加,Si-0-Si键的结合越来越明显.
用介質阻擋放電(DBD)等離子體增彊化學氣相沉積(PECVD)的方法,以硅烷為源氣體,在沉積區域加載脈遲負偏壓進行調節,在玻璃基片上沉積得到具有熒光特徵的多孔硅納米顆粒膜.沉積過程的髮射光譜結果錶明,在412 nm處齣現SiH*(A2△→X2π0-0)特徵峰,證明放電沉積過程中存在不同程度的硅烷裂解.將脈遲負偏壓固定在-300 V,噹佔空比從0.162增大到0.864時,薄膜的紅外光譜顯示Si-0-Si在1070cm-1伸縮振動吸收峰與800 cm-1的彎麯振動峰都有所增彊,而930 cm-1的Si-H彎麯振動減弱.說明隨著佔空比的增加,Si-0-Si鍵的結閤越來越明顯.
용개질조당방전(DBD)등리자체증강화학기상침적(PECVD)적방법,이규완위원기체,재침적구역가재맥충부편압진행조절,재파리기편상침적득도구유형광특정적다공규납미과립막.침적과정적발사광보결과표명,재412 nm처출현SiH*(A2△→X2π0-0)특정봉,증명방전침적과정중존재불동정도적규완렬해.장맥충부편압고정재-300 V,당점공비종0.162증대도0.864시,박막적홍외광보현시Si-0-Si재1070cm-1신축진동흡수봉여800 cm-1적만곡진동봉도유소증강,이930 cm-1적Si-H만곡진동감약.설명수착점공비적증가,Si-0-Si건적결합월래월명현.
