微纳电子技术
微納電子技術
미납전자기술
MICRONANOELECTRONIC TECHNOLOGY
2010年
11期
663-667
,共5页
武一宾%杨瑞霞%商耀辉%牛晨亮%王健
武一賓%楊瑞霞%商耀輝%牛晨亮%王健
무일빈%양서하%상요휘%우신량%왕건
不对称势垒%共振隧穿二极管(RTD)%电流峰谷比(PVCR)%负微分电阻(NDR)%分子束外延(MBE)%磷化铟
不對稱勢壘%共振隧穿二極管(RTD)%電流峰穀比(PVCR)%負微分電阻(NDR)%分子束外延(MBE)%燐化銦
불대칭세루%공진수천이겁관(RTD)%전류봉곡비(PVCR)%부미분전조(NDR)%분자속외연(MBE)%린화인
利用Airy函数和传输矩阵方法计算了不对称势垒厚度的InP基AlAs/InGaAs/AlAs DBS结构在偏压情况下的共振透射系数,并通过材料生长和器件工艺制作得到了共振隧穿二极管的直流I-V特性.在峰值电流密度为132 kA/cm2下,获得了17.84的电流峰谷比.测试结果还表明不对称势垒厚度的RTD在偏压情况下,当电子从较薄势垒向较厚势垒穿透时,更容易获得高的电流峰谷比,反之可获得较大的负微分电阻电压区域.
利用Airy函數和傳輸矩陣方法計算瞭不對稱勢壘厚度的InP基AlAs/InGaAs/AlAs DBS結構在偏壓情況下的共振透射繫數,併通過材料生長和器件工藝製作得到瞭共振隧穿二極管的直流I-V特性.在峰值電流密度為132 kA/cm2下,穫得瞭17.84的電流峰穀比.測試結果還錶明不對稱勢壘厚度的RTD在偏壓情況下,噹電子從較薄勢壘嚮較厚勢壘穿透時,更容易穫得高的電流峰穀比,反之可穫得較大的負微分電阻電壓區域.
이용Airy함수화전수구진방법계산료불대칭세루후도적InP기AlAs/InGaAs/AlAs DBS결구재편압정황하적공진투사계수,병통과재료생장화기건공예제작득도료공진수천이겁관적직류I-V특성.재봉치전류밀도위132 kA/cm2하,획득료17.84적전류봉곡비.측시결과환표명불대칭세루후도적RTD재편압정황하,당전자종교박세루향교후세루천투시,경용역획득고적전류봉곡비,반지가획득교대적부미분전조전압구역.
