半导体学报
半導體學報
반도체학보
CHINESE JOURNAL OF SEMICONDUCTORS
2004年
12期
1730-1734
,共5页
罗谦%杨谟华%杜江锋%梅丁蕾%王良臣%白云霞
囉謙%楊謨華%杜江鋒%梅丁蕾%王良臣%白雲霞
라겸%양모화%두강봉%매정뢰%왕량신%백운하
GaN%肖特基接触%测量方法
GaN%肖特基接觸%測量方法
GaN%초특기접촉%측량방법
提出了一种GaN薄膜电学参量测试新方法.该方法基于双肖特基结二极管结构,利用非对称的电极图形获取整流特性,从而省去了复杂的欧姆接触形成工艺,可方便地导出电子电导迁移率和肖特基接触理想因子等特征参数.对残留载流子浓度为7×1016 cm-3 的非故意掺杂GaN薄膜进行了试验,新方法得到Ni/Au-GaN肖特基接触的理想因子为2.8,GaN薄膜方块电阻为491Ω和电子电导迁移率为606cm2/(V·s).这些典型参数与利用欧姆接触实验和普通Ni/Au-GaN肖特基二极管测试所得结果较为吻合.该方法为半导体薄膜测试提供了新思路,可推广用于难以形成良好线性欧姆接触或材料特性受欧姆接触工艺影响较大的外延材料及其金半接触的监测研究.
提齣瞭一種GaN薄膜電學參量測試新方法.該方法基于雙肖特基結二極管結構,利用非對稱的電極圖形穫取整流特性,從而省去瞭複雜的歐姆接觸形成工藝,可方便地導齣電子電導遷移率和肖特基接觸理想因子等特徵參數.對殘留載流子濃度為7×1016 cm-3 的非故意摻雜GaN薄膜進行瞭試驗,新方法得到Ni/Au-GaN肖特基接觸的理想因子為2.8,GaN薄膜方塊電阻為491Ω和電子電導遷移率為606cm2/(V·s).這些典型參數與利用歐姆接觸實驗和普通Ni/Au-GaN肖特基二極管測試所得結果較為吻閤.該方法為半導體薄膜測試提供瞭新思路,可推廣用于難以形成良好線性歐姆接觸或材料特性受歐姆接觸工藝影響較大的外延材料及其金半接觸的鑑測研究.
제출료일충GaN박막전학삼량측시신방법.해방법기우쌍초특기결이겁관결구,이용비대칭적전겁도형획취정류특성,종이성거료복잡적구모접촉형성공예,가방편지도출전자전도천이솔화초특기접촉이상인자등특정삼수.대잔류재류자농도위7×1016 cm-3 적비고의참잡GaN박막진행료시험,신방법득도Ni/Au-GaN초특기접촉적이상인자위2.8,GaN박막방괴전조위491Ω화전자전도천이솔위606cm2/(V·s).저사전형삼수여이용구모접촉실험화보통Ni/Au-GaN초특기이겁관측시소득결과교위문합.해방법위반도체박막측시제공료신사로,가추엄용우난이형성량호선성구모접촉혹재료특성수구모접촉공예영향교대적외연재료급기금반접촉적감측연구.
