稀有金属材料与工程
稀有金屬材料與工程
희유금속재료여공정
RARE METAL MATERIALS AND ENGINEERNG
2009年
7期
1264-1268
,共5页
周广宏%王寅岗%祁先进%黄一中
週廣宏%王寅崗%祁先進%黃一中
주엄굉%왕인강%기선진%황일중
CoFe薄膜%聚焦离子束%Ga+离子辐照%磁性
CoFe薄膜%聚焦離子束%Ga+離子輻照%磁性
CoFe박막%취초리자속%Ga+리자복조%자성
利用磁控溅射法制备Substrate/Seed Ta(5 nm),Co75Fe25(5 nm)/Cap Ta(8 nm)铁磁膜,通过透射电镜(TEM)、选区电子衍射(SAED)和X射线衍射(XRD)等分析测试手段,研究Ga+离子辐照对CoFe磁性薄膜的矫顽力及薄膜的组织、结构的影响,利用SRIM2003软件模拟分析离子辐照后Ga、Ta等元素在CoFe薄膜中的深度分布情况.研究结果表明:采用低剂量(＜1×1013ion·cm-2)的Ga+离子辐照对薄膜的矫顽力和磁性薄膜的组织,结构影响不大;随着辐照剂量的逐渐增大,磁性薄膜的矫顽力减小,晶粒变大,<111>方向的织构明显减弱;当辐照剂量＞1×1015ion·cm-2时,注入到CoFe薄膜中的Ta、Ga原子及Ga+离子在与原子碰撞过程中形成空位、间隙原子等多种晶体缺陷,促进晶体向非晶体的转变.
利用磁控濺射法製備Substrate/Seed Ta(5 nm),Co75Fe25(5 nm)/Cap Ta(8 nm)鐵磁膜,通過透射電鏡(TEM)、選區電子衍射(SAED)和X射線衍射(XRD)等分析測試手段,研究Ga+離子輻照對CoFe磁性薄膜的矯頑力及薄膜的組織、結構的影響,利用SRIM2003軟件模擬分析離子輻照後Ga、Ta等元素在CoFe薄膜中的深度分佈情況.研究結果錶明:採用低劑量(＜1×1013ion·cm-2)的Ga+離子輻照對薄膜的矯頑力和磁性薄膜的組織,結構影響不大;隨著輻照劑量的逐漸增大,磁性薄膜的矯頑力減小,晶粒變大,<111>方嚮的織構明顯減弱;噹輻照劑量＞1×1015ion·cm-2時,註入到CoFe薄膜中的Ta、Ga原子及Ga+離子在與原子踫撞過程中形成空位、間隙原子等多種晶體缺陷,促進晶體嚮非晶體的轉變.
이용자공천사법제비Substrate/Seed Ta(5 nm),Co75Fe25(5 nm)/Cap Ta(8 nm)철자막,통과투사전경(TEM)、선구전자연사(SAED)화X사선연사(XRD)등분석측시수단,연구Ga+리자복조대CoFe자성박막적교완력급박막적조직、결구적영향,이용SRIM2003연건모의분석리자복조후Ga、Ta등원소재CoFe박막중적심도분포정황.연구결과표명:채용저제량(＜1×1013ion·cm-2)적Ga+리자복조대박막적교완력화자성박막적조직,결구영향불대;수착복조제량적축점증대,자성박막적교완력감소,정립변대,<111>방향적직구명현감약;당복조제량＞1×1015ion·cm-2시,주입도CoFe박막중적Ta、Ga원자급Ga+리자재여원자팽당과정중형성공위、간극원자등다충정체결함,촉진정체향비정체적전변.
