光通信研究
光通信研究
광통신연구
STUDY ON OPTICAL COMMUNICATIONS
2011年
3期
37-39,47
,共4页
光子晶体光纤%太赫兹频域%光子带隙
光子晶體光纖%太赫玆頻域%光子帶隙
광자정체광섬%태혁자빈역%광자대극
文章采用传输矩阵法对太赫兹频域层状一维光子晶体光纤(PCF)的设计方法进行了理论研究,提出了As<,2>Se<,3>和Teflon材料体系的一堆PCF结构的设计方法.研究表明:层状一堆PCF传输中心频率为1 THz波时最佳光子带隙材料匹配如下:As<,2>Se<,3>高折射率材料层的厚度为168.3 μm,Telfon低折射率材料层的厚度为359.7 μm,最佳周期数为25.
文章採用傳輸矩陣法對太赫玆頻域層狀一維光子晶體光纖(PCF)的設計方法進行瞭理論研究,提齣瞭As<,2>Se<,3>和Teflon材料體繫的一堆PCF結構的設計方法.研究錶明:層狀一堆PCF傳輸中心頻率為1 THz波時最佳光子帶隙材料匹配如下:As<,2>Se<,3>高摺射率材料層的厚度為168.3 μm,Telfon低摺射率材料層的厚度為359.7 μm,最佳週期數為25.
문장채용전수구진법대태혁자빈역층상일유광자정체광섬(PCF)적설계방법진행료이론연구,제출료As<,2>Se<,3>화Teflon재료체계적일퇴PCF결구적설계방법.연구표명:층상일퇴PCF전수중심빈솔위1 THz파시최가광자대극재료필배여하:As<,2>Se<,3>고절사솔재료층적후도위168.3 μm,Telfon저절사솔재료층적후도위359.7 μm,최가주기수위25.
