微电子学
微電子學
미전자학
MICROELECTRONICS
2012年
5期
651-654
,共4页
王兆敏%蔡道林%陈后鹏%宋志棠%傅忠谦
王兆敏%蔡道林%陳後鵬%宋誌棠%傅忠謙
왕조민%채도림%진후붕%송지당%부충겸
相变存储器%电子标签%模拟前端%低功耗
相變存儲器%電子標籤%模擬前耑%低功耗
상변존저기%전자표첨%모의전단%저공모
基于相变存储器,对无源超高频电子标签模拟前端四个关键电路进行低功耗设计.整流 电路采用9级电荷泵,结合储能电容和过压保护电路,得到了很好的整流效果.上电复位电路在箝位电路的基础上利用简单的缓冲器及异或逻辑,得到性能良好的矩形脉冲复位信号PORB,通过PMOS栅交叉耦合,极大地降低了电路静态电流(＜1 nA).在基准电源电路中,设计了双极晶体管和MOS晶体管,兼具功耗低和准确性高的优势.稳压电路采用串联稳压结构,电源抑制比达到28.2 dB.仿真结果显示,功耗达到nA级,输出直流电压为3V.
基于相變存儲器,對無源超高頻電子標籤模擬前耑四箇關鍵電路進行低功耗設計.整流 電路採用9級電荷泵,結閤儲能電容和過壓保護電路,得到瞭很好的整流效果.上電複位電路在箝位電路的基礎上利用簡單的緩遲器及異或邏輯,得到性能良好的矩形脈遲複位信號PORB,通過PMOS柵交扠耦閤,極大地降低瞭電路靜態電流(＜1 nA).在基準電源電路中,設計瞭雙極晶體管和MOS晶體管,兼具功耗低和準確性高的優勢.穩壓電路採用串聯穩壓結構,電源抑製比達到28.2 dB.倣真結果顯示,功耗達到nA級,輸齣直流電壓為3V.
기우상변존저기,대무원초고빈전자표첨모의전단사개관건전로진행저공모설계.정류 전로채용9급전하빙,결합저능전용화과압보호전로,득도료흔호적정류효과.상전복위전로재겸위전로적기출상이용간단적완충기급이혹라집,득도성능량호적구형맥충복위신호PORB,통과PMOS책교차우합,겁대지강저료전로정태전류(＜1 nA).재기준전원전로중,설계료쌍겁정체관화MOS정체관,겸구공모저화준학성고적우세.은압전로채용천련은압결구,전원억제비체도28.2 dB.방진결과현시,공모체도nA급,수출직류전압위3V.
