固体电子学研究与进展
固體電子學研究與進展
고체전자학연구여진전
RESEARCH & PROGRESS OF SOLID STATE ELECTRONICS
2004年
3期
402-406
,共5页
非晶硅%等离子增强化学气相淀积%淀积率上限%优化淀积率
非晶硅%等離子增彊化學氣相澱積%澱積率上限%優化澱積率
비정규%등리자증강화학기상정적%정적솔상한%우화정적솔
根据Winer模型,联合Winer模型和Street的氢化学势理论,分别研究了传统PECVD(CPECVD)高品质氢化非晶硅(HQ a-Si:H)的淀积率上限rdup和淀积率rd与a-Si:H缺陷密度ND的关系.得到的结论是:(1)rdup＝1.6 nm/s(目前实验上rd已接近1.0 nm/s).(2)对每一优化淀积温度(Ts＝200～300°C),存在一相应的优化淀积率rdop,当rd<rdop时,rd增加,ND减小(解释了Tsuda et al的实验曲线的左边).还讨论了在大淀积率下(0.5 nm/s<rd<rdup)制备HQ a-Si:H时避免粉末形成的可能方法.结果显示:适当功率密度Pd/SiH4流速率fr和(或)适当的SiH4气压Pr/fr匹配是至关重要的.
根據Winer模型,聯閤Winer模型和Street的氫化學勢理論,分彆研究瞭傳統PECVD(CPECVD)高品質氫化非晶硅(HQ a-Si:H)的澱積率上限rdup和澱積率rd與a-Si:H缺陷密度ND的關繫.得到的結論是:(1)rdup＝1.6 nm/s(目前實驗上rd已接近1.0 nm/s).(2)對每一優化澱積溫度(Ts＝200～300°C),存在一相應的優化澱積率rdop,噹rd<rdop時,rd增加,ND減小(解釋瞭Tsuda et al的實驗麯線的左邊).還討論瞭在大澱積率下(0.5 nm/s<rd<rdup)製備HQ a-Si:H時避免粉末形成的可能方法.結果顯示:適噹功率密度Pd/SiH4流速率fr和(或)適噹的SiH4氣壓Pr/fr匹配是至關重要的.
근거Winer모형,연합Winer모형화Street적경화학세이론,분별연구료전통PECVD(CPECVD)고품질경화비정규(HQ a-Si:H)적정적솔상한rdup화정적솔rd여a-Si:H결함밀도ND적관계.득도적결론시:(1)rdup＝1.6 nm/s(목전실험상rd이접근1.0 nm/s).(2)대매일우화정적온도(Ts＝200～300°C),존재일상응적우화정적솔rdop,당rd<rdop시,rd증가,ND감소(해석료Tsuda et al적실험곡선적좌변).환토론료재대정적솔하(0.5 nm/s<rd<rdup)제비HQ a-Si:H시피면분말형성적가능방법.결과현시:괄당공솔밀도Pd/SiH4류속솔fr화(혹)괄당적SiH4기압Pr/fr필배시지관중요적.
