GaN表面极性的光电子衍射研究
GaN표면겁성적광전자연사연구
Photoelectron diffraction study on the polarity of GaN surface
  • 万方数据
    物理学报 물이학보

    2004年 4期 1171-1176 ,共6页

    徐彭寿%邓锐%潘海斌%徐法强%谢长坤%李拥华%刘凤琴%易布拉欣·奎热西

    서팽수%산예%반해빈%서법강%사장곤%리옹화%류봉금%역포랍흔·규열서

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    利用x射线光电子衍射的极角扫描模式,采集了GaN(0001)表面由(1010)和(1120)晶面产生的光电子衍射实验曲线,并运用光电子衍射的前向聚焦效应确定了GaN(0001)表面是Ga在最外层的极性面.利用与能量有关的光电子衍射即角分辨光电发射精细结构谱技术并结合多重散射团簇模型计算对GaN(0001)表面的极化性质进行了研究,进一步证实了GaN表面是Ga在最外层的极性面.
    이용x사선광전자연사적겁각소묘모식,채집료GaN(0001)표면유(1010)화(1120)정면산생적광전자연사실험곡선,병운용광전자연사적전향취초효응학정료GaN(0001)표면시Ga재최외층적겁성면.이용여능량유관적광전자연사즉각분변광전발사정세결구보기술병결합다중산사단족모형계산대GaN(0001)표면적겁화성질진행료연구,진일보증실료GaN표면시Ga재최외층적겁성면.
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