光电子·激光
光電子·激光
광전자·격광
JOURNAL OF OPTOECTRONICS·LASER
2005年
3期
274-278
,共5页
刘技文%李娟%赵燕平%李延辉%李昌龄%许京军
劉技文%李娟%趙燕平%李延輝%李昌齡%許京軍
류기문%리연%조연평%리연휘%리창령%허경군
SiC%射频磁控溅射%退火%纳米晶薄膜%光致发光(PL)
SiC%射頻磁控濺射%退火%納米晶薄膜%光緻髮光(PL)
SiC%사빈자공천사%퇴화%납미정박막%광치발광(PL)
用射频磁控溅射及后退火(800 ℃、1 000 ℃和1 200 ℃)方法,在Si(111)衬底上制备出了SiC纳米晶(nc-SiC)薄膜.傅立叶变换红外光谱(FTIR)、X射线衍射谱(XRD)及扫描电子显微镜(SEM)形貌像等研究表明,制备出的nc-SiC薄膜具有立方结构;样品经800 ℃、1 000 ℃退火后,表面的纳米晶粒分别为10 nm和20 nm左右;而1 200 ℃退火后,样品晶化完全.光致发光(PL)研究表明,nc-SiC薄膜室温条件下发射蓝光,发光峰峰位随退火温度的降低发生蓝移且发光峰强度变大;1 000 ℃退火后样品的发光峰在478 nm,800 ℃退火后发光峰在477 nm,800 ℃退火比1 000 ℃退火的样品发光强度高4倍.
用射頻磁控濺射及後退火(800 ℃、1 000 ℃和1 200 ℃)方法,在Si(111)襯底上製備齣瞭SiC納米晶(nc-SiC)薄膜.傅立葉變換紅外光譜(FTIR)、X射線衍射譜(XRD)及掃描電子顯微鏡(SEM)形貌像等研究錶明,製備齣的nc-SiC薄膜具有立方結構;樣品經800 ℃、1 000 ℃退火後,錶麵的納米晶粒分彆為10 nm和20 nm左右;而1 200 ℃退火後,樣品晶化完全.光緻髮光(PL)研究錶明,nc-SiC薄膜室溫條件下髮射藍光,髮光峰峰位隨退火溫度的降低髮生藍移且髮光峰彊度變大;1 000 ℃退火後樣品的髮光峰在478 nm,800 ℃退火後髮光峰在477 nm,800 ℃退火比1 000 ℃退火的樣品髮光彊度高4倍.
용사빈자공천사급후퇴화(800 ℃、1 000 ℃화1 200 ℃)방법,재Si(111)츤저상제비출료SiC납미정(nc-SiC)박막.부립협변환홍외광보(FTIR)、X사선연사보(XRD)급소묘전자현미경(SEM)형모상등연구표명,제비출적nc-SiC박막구유립방결구;양품경800 ℃、1 000 ℃퇴화후,표면적납미정립분별위10 nm화20 nm좌우;이1 200 ℃퇴화후,양품정화완전.광치발광(PL)연구표명,nc-SiC박막실온조건하발사람광,발광봉봉위수퇴화온도적강저발생람이차발광봉강도변대;1 000 ℃퇴화후양품적발광봉재478 nm,800 ℃퇴화후발광봉재477 nm,800 ℃퇴화비1 000 ℃퇴화적양품발광강도고4배.
