半导体技术
半導體技術
반도체기술
SEMICONDUCTOR TECHNOLOGY
2007年
6期
474-477,485
,共5页
等离子体%感应耦合等离子%刻蚀
等離子體%感應耦閤等離子%刻蝕
등리자체%감응우합등리자%각식
介绍了ICP刻蚀工艺技术原理和在化合物半导体器件制备中的应用,包括ICP刻蚀技术中的低温等离子体的形成机理、等离子体与固体表面的相互作用等,并对影响ICP刻蚀结果的因素进行了分析.研究了不同的工艺气体配比、腔体工作压力、ICP源功率和射频源功率对刻蚀的影响,并初步得到了一种稳定、刻蚀表面清洁光滑、图形轮廓良好、均匀性较好和刻蚀速率较高的干法刻蚀工艺.
介紹瞭ICP刻蝕工藝技術原理和在化閤物半導體器件製備中的應用,包括ICP刻蝕技術中的低溫等離子體的形成機理、等離子體與固體錶麵的相互作用等,併對影響ICP刻蝕結果的因素進行瞭分析.研究瞭不同的工藝氣體配比、腔體工作壓力、ICP源功率和射頻源功率對刻蝕的影響,併初步得到瞭一種穩定、刻蝕錶麵清潔光滑、圖形輪廓良好、均勻性較好和刻蝕速率較高的榦法刻蝕工藝.
개소료ICP각식공예기술원리화재화합물반도체기건제비중적응용,포괄ICP각식기술중적저온등리자체적형성궤리、등리자체여고체표면적상호작용등,병대영향ICP각식결과적인소진행료분석.연구료불동적공예기체배비、강체공작압력、ICP원공솔화사빈원공솔대각식적영향,병초보득도료일충은정、각식표면청길광활、도형륜곽량호、균균성교호화각식속솔교고적간법각식공예.
