物理学报
物理學報
물이학보
2007年
8期
4955-4959
,共5页
高宏玲%李东临%周文政%商丽燕%王宝强%朱战平%曾一平
高宏玲%李東臨%週文政%商麗燕%王寶彊%硃戰平%曾一平
고굉령%리동림%주문정%상려연%왕보강%주전평%증일평
量子阱宽%二维电子气%Shubnikov-de Haas振荡%高电子迁移率晶体管
量子阱寬%二維電子氣%Shubnikov-de Haas振盪%高電子遷移率晶體管
양자정관%이유전자기%Shubnikov-de Haas진탕%고전자천이솔정체관
用Shubnikov-de Haas(SdH)振荡效应,研究了在1.4 K下不同量子阱宽度(10-35 nm)的InP基高电子迁移率晶体管材料的二维电子气特性.通过对纵向电阻SdH振荡的快速傅里叶变换分析,得到不同阱宽时量子阱中二维电子气各子带电子浓度和量子迁移率.研究发现,在Si掺杂浓度一定时,阱宽的改变对于量子阱中总的载流子浓度改变不大,但是随着阱宽的增加,阱中的电子从占据一个子带到占据两个子带,且第二子带上的载流子迁移率远大于第一子带迁移率.当量子阱宽度为20 nm时,处在第二子能级上的电子数与处在第一子能级上的电子数之比达到了最大值0.24.此时有最多的电子位于迁移率高的第二子能级,材料的迁移率也最大.此结果对于优化器件的设计有重要意义.
用Shubnikov-de Haas(SdH)振盪效應,研究瞭在1.4 K下不同量子阱寬度(10-35 nm)的InP基高電子遷移率晶體管材料的二維電子氣特性.通過對縱嚮電阻SdH振盪的快速傅裏葉變換分析,得到不同阱寬時量子阱中二維電子氣各子帶電子濃度和量子遷移率.研究髮現,在Si摻雜濃度一定時,阱寬的改變對于量子阱中總的載流子濃度改變不大,但是隨著阱寬的增加,阱中的電子從佔據一箇子帶到佔據兩箇子帶,且第二子帶上的載流子遷移率遠大于第一子帶遷移率.噹量子阱寬度為20 nm時,處在第二子能級上的電子數與處在第一子能級上的電子數之比達到瞭最大值0.24.此時有最多的電子位于遷移率高的第二子能級,材料的遷移率也最大.此結果對于優化器件的設計有重要意義.
용Shubnikov-de Haas(SdH)진탕효응,연구료재1.4 K하불동양자정관도(10-35 nm)적InP기고전자천이솔정체관재료적이유전자기특성.통과대종향전조SdH진탕적쾌속부리협변환분석,득도불동정관시양자정중이유전자기각자대전자농도화양자천이솔.연구발현,재Si참잡농도일정시,정관적개변대우양자정중총적재류자농도개변불대,단시수착정관적증가,정중적전자종점거일개자대도점거량개자대,차제이자대상적재류자천이솔원대우제일자대천이솔.당양자정관도위20 nm시,처재제이자능급상적전자수여처재제일자능급상적전자수지비체도료최대치0.24.차시유최다적전자위우천이솔고적제이자능급,재료적천이솔야최대.차결과대우우화기건적설계유중요의의.
