传感器与微系统
傳感器與微繫統
전감기여미계통
TRANSDUCER AND MICROSYSTEM TECHNOLOGY
2010年
9期
67-69,73
,共4页
王巍%代作海%王晓磊%唐政维%徐洋%王平
王巍%代作海%王曉磊%唐政維%徐洋%王平
왕외%대작해%왕효뢰%당정유%서양%왕평
金属-绝缘体-碳化硅%杂质离化%泊松方程%Pool-Frenkel效应%气体传感器
金屬-絕緣體-碳化硅%雜質離化%泊鬆方程%Pool-Frenkel效應%氣體傳感器
금속-절연체-탄화규%잡질리화%박송방정%Pool-Frenkel효응%기체전감기
研究了杂质不完全离化对金属-绝缘体-碳化硅(MISiC)传感器性能的影响.考虑到Pool-Frenkel效应和外加电场的作用,建立了MISiC器件空间电荷区泊松方程.运用准中性近似,对所建立的泊松方程进行数值计算,得到了空间电荷区的电势分布,进而得到MISiC传感器的,I-V与C-V特性.实验结果表明:室温下SiC器件中杂质不完全离化,随着温度的升高,杂质离化率增大.在外加电场的作用下,杂质的离化率增加,并最终导致MISiC器件I-V与C-V曲线的移动.
研究瞭雜質不完全離化對金屬-絕緣體-碳化硅(MISiC)傳感器性能的影響.攷慮到Pool-Frenkel效應和外加電場的作用,建立瞭MISiC器件空間電荷區泊鬆方程.運用準中性近似,對所建立的泊鬆方程進行數值計算,得到瞭空間電荷區的電勢分佈,進而得到MISiC傳感器的,I-V與C-V特性.實驗結果錶明:室溫下SiC器件中雜質不完全離化,隨著溫度的升高,雜質離化率增大.在外加電場的作用下,雜質的離化率增加,併最終導緻MISiC器件I-V與C-V麯線的移動.
연구료잡질불완전리화대금속-절연체-탄화규(MISiC)전감기성능적영향.고필도Pool-Frenkel효응화외가전장적작용,건립료MISiC기건공간전하구박송방정.운용준중성근사,대소건립적박송방정진행수치계산,득도료공간전하구적전세분포,진이득도MISiC전감기적,I-V여C-V특성.실험결과표명:실온하SiC기건중잡질불완전리화,수착온도적승고,잡질리화솔증대.재외가전장적작용하,잡질적리화솔증가,병최종도치MISiC기건I-V여C-V곡선적이동.
