纳米技术与精密工程
納米技術與精密工程
납미기술여정밀공정
NANOTECHNOLOGY AND PRECISION ENGINEERING
2011年
3期
279-282
,共4页
徐晨%王宝强%刘英明%解意洋%沈光地
徐晨%王寶彊%劉英明%解意洋%瀋光地
서신%왕보강%류영명%해의양%침광지
掩膜%光子晶体%感应耦合等离子体(ICP)%GaAs
掩膜%光子晶體%感應耦閤等離子體(ICP)%GaAs
엄막%광자정체%감응우합등리자체(ICP)%GaAs
结合刻蚀GaAs基光子晶体在光子晶体垂直腔面发射激光器中的应用,研究了光刻胶、SiO2掩膜的特性以及对GaAs基二维光子晶体ICP刻蚀效果的影响,并分析了ICP刻蚀小尺寸光子晶体时,造成底面凹凸不平、侧壁粗糙、垂直度差的原因.最后,调整工艺条件,利用BP212-7CP光刻胶做掩膜,成功制作了直径为1.2～4.0μm、深度为1.5μm的侧壁光滑垂直、底面平整的高质量光子晶体结构.
結閤刻蝕GaAs基光子晶體在光子晶體垂直腔麵髮射激光器中的應用,研究瞭光刻膠、SiO2掩膜的特性以及對GaAs基二維光子晶體ICP刻蝕效果的影響,併分析瞭ICP刻蝕小呎吋光子晶體時,造成底麵凹凸不平、側壁粗糙、垂直度差的原因.最後,調整工藝條件,利用BP212-7CP光刻膠做掩膜,成功製作瞭直徑為1.2～4.0μm、深度為1.5μm的側壁光滑垂直、底麵平整的高質量光子晶體結構.
결합각식GaAs기광자정체재광자정체수직강면발사격광기중적응용,연구료광각효、SiO2엄막적특성이급대GaAs기이유광자정체ICP각식효과적영향,병분석료ICP각식소척촌광자정체시,조성저면요철불평、측벽조조、수직도차적원인.최후,조정공예조건,이용BP212-7CP광각효주엄막,성공제작료직경위1.2～4.0μm、심도위1.5μm적측벽광활수직、저면평정적고질량광자정체결구.
