固体电子学研究与进展
固體電子學研究與進展
고체전자학연구여진전
RESEARCH & PROGRESS OF SOLID STATE ELECTRONICS
2011年
5期
499-504
,共6页
李凤阳%毛陆虹%徐凯%马力远%王峥%陈力颖%张世林
李鳳暘%毛陸虹%徐凱%馬力遠%王崢%陳力穎%張世林
리봉양%모륙홍%서개%마력원%왕쟁%진력영%장세림
射频识别%标签芯片%超高频%模拟前端%解调电路
射頻識彆%標籤芯片%超高頻%模擬前耑%解調電路
사빈식별%표첨심편%초고빈%모의전단%해조전로
基于ISO/IEC 18000-6C协议,对UHF无源电子标签模拟前端中的ASK解调电路、整流器、稳压电路等进行低功耗设计.解调电路中微分电路的加入扩大了解调电路工作范围,在解调电路近距离工作时,可以更有效地解调.整流电路采用了零阈值MOS管代替肖特基二极管,降低芯片成本.整流稳压电路可稳定地为芯片供电,供电电压2V,建立时间仅为25μs.电路采用SMIC 0.18μm 2P4M CMOS工艺进行流片,芯片面积720 μm×390 μm.测试得到模拟前端整体工作电流仅2.4 μA,标签工作距离大于7m.
基于ISO/IEC 18000-6C協議,對UHF無源電子標籤模擬前耑中的ASK解調電路、整流器、穩壓電路等進行低功耗設計.解調電路中微分電路的加入擴大瞭解調電路工作範圍,在解調電路近距離工作時,可以更有效地解調.整流電路採用瞭零閾值MOS管代替肖特基二極管,降低芯片成本.整流穩壓電路可穩定地為芯片供電,供電電壓2V,建立時間僅為25μs.電路採用SMIC 0.18μm 2P4M CMOS工藝進行流片,芯片麵積720 μm×390 μm.測試得到模擬前耑整體工作電流僅2.4 μA,標籤工作距離大于7m.
기우ISO/IEC 18000-6C협의,대UHF무원전자표첨모의전단중적ASK해조전로、정류기、은압전로등진행저공모설계.해조전로중미분전로적가입확대료해조전로공작범위,재해조전로근거리공작시,가이경유효지해조.정류전로채용료령역치MOS관대체초특기이겁관,강저심편성본.정류은압전로가은정지위심편공전,공전전압2V,건립시간부위25μs.전로채용SMIC 0.18μm 2P4M CMOS공예진행류편,심편면적720 μm×390 μm.측시득도모의전단정체공작전류부2.4 μA,표첨공작거리대우7m.
