固体电子学研究与进展
固體電子學研究與進展
고체전자학연구여진전
RESEARCH & PROGRESS OF SOLID STATE ELECTRONICS
2008年
1期
149-153
,共5页
王久敏%陈坤基%宋捷%余林蔚%马忠元%李伟%黄信凡
王久敏%陳坤基%宋捷%餘林蔚%馬忠元%李偉%黃信凡
왕구민%진곤기%송첩%여림위%마충원%리위%황신범
等离子体氧化%等离子体氮化%电容电压特性%超薄栅介质层
等離子體氧化%等離子體氮化%電容電壓特性%超薄柵介質層
등리자체양화%등리자체담화%전용전압특성%초박책개질층
在等离子体增强化学气相淀积(PECVD)系统中,采用等离子体氧化和等离子体氮化的方法,在单晶硅表面上成功制备厚度小于10 nm的超薄硅基介质膜.通过X射线光电子谱(XPS)分析了超薄介质膜的化学结构,利用椭圆偏振仪测量了厚度以及折射率,同时对超薄介质膜进行了电容电压(C-V)和电流电压(I-V)特性的测量,研究其电学性质,探讨了C-V测量模式对超薄介质膜性质表征的影响,最后对两种介质膜的优缺点进行了比较.
在等離子體增彊化學氣相澱積(PECVD)繫統中,採用等離子體氧化和等離子體氮化的方法,在單晶硅錶麵上成功製備厚度小于10 nm的超薄硅基介質膜.通過X射線光電子譜(XPS)分析瞭超薄介質膜的化學結構,利用橢圓偏振儀測量瞭厚度以及摺射率,同時對超薄介質膜進行瞭電容電壓(C-V)和電流電壓(I-V)特性的測量,研究其電學性質,探討瞭C-V測量模式對超薄介質膜性質錶徵的影響,最後對兩種介質膜的優缺點進行瞭比較.
재등리자체증강화학기상정적(PECVD)계통중,채용등리자체양화화등리자체담화적방법,재단정규표면상성공제비후도소우10 nm적초박규기개질막.통과X사선광전자보(XPS)분석료초박개질막적화학결구,이용타원편진의측량료후도이급절사솔,동시대초박개질막진행료전용전압(C-V)화전류전압(I-V)특성적측량,연구기전학성질,탐토료C-V측량모식대초박개질막성질표정적영향,최후대량충개질막적우결점진행료비교.
