物理学报
物理學報
물이학보
2008年
2期
762-766
,共5页
童凯%崔卫卫%汪梅婷%李志全
童凱%崔衛衛%汪梅婷%李誌全
동개%최위위%왕매정%리지전
温度测量%一维光子晶体%传输矩阵法%缺陷峰
溫度測量%一維光子晶體%傳輸矩陣法%缺陷峰
온도측량%일유광자정체%전수구진법%결함봉
采用Si和SiO2两种介质材料构造一维缺陷光子晶体,缺陷层介质为Si,利用传输矩阵法对带有缺陷的一维光子晶体的传光特性进行了理论分析,并得到其带隙特性.由于缺陷的存在,使得光子晶体的透射谱中产生缺陷峰.当被测温度变化时,根据两种介质的热光效应和热膨胀效应,光子晶体介质和缺陷层的光学厚度和折射率发生变化,透射谱缺陷峰产生漂移,由缺陷峰的中心波长漂移量得到被测温度的大小.构建了一维缺陷光子晶体测量温度的实验系统,实验结果表明缺陷峰中心波长与光子晶体所受的温度呈线性关系,测量灵敏度为0.207 nm/℃,测量范围为-20-120℃.
採用Si和SiO2兩種介質材料構造一維缺陷光子晶體,缺陷層介質為Si,利用傳輸矩陣法對帶有缺陷的一維光子晶體的傳光特性進行瞭理論分析,併得到其帶隙特性.由于缺陷的存在,使得光子晶體的透射譜中產生缺陷峰.噹被測溫度變化時,根據兩種介質的熱光效應和熱膨脹效應,光子晶體介質和缺陷層的光學厚度和摺射率髮生變化,透射譜缺陷峰產生漂移,由缺陷峰的中心波長漂移量得到被測溫度的大小.構建瞭一維缺陷光子晶體測量溫度的實驗繫統,實驗結果錶明缺陷峰中心波長與光子晶體所受的溫度呈線性關繫,測量靈敏度為0.207 nm/℃,測量範圍為-20-120℃.
채용Si화SiO2량충개질재료구조일유결함광자정체,결함층개질위Si,이용전수구진법대대유결함적일유광자정체적전광특성진행료이론분석,병득도기대극특성.유우결함적존재,사득광자정체적투사보중산생결함봉.당피측온도변화시,근거량충개질적열광효응화열팽창효응,광자정체개질화결함층적광학후도화절사솔발생변화,투사보결함봉산생표이,유결함봉적중심파장표이량득도피측온도적대소.구건료일유결함광자정체측량온도적실험계통,실험결과표명결함봉중심파장여광자정체소수적온도정선성관계,측량령민도위0.207 nm/℃,측량범위위-20-120℃.
