人工晶体学报
人工晶體學報
인공정체학보
2010年
2期
299-303
,共5页
杨智慧%秦福文%吴爱民%宋世巍%刘胜芳%陈伟绩
楊智慧%秦福文%吳愛民%宋世巍%劉勝芳%陳偉績
양지혜%진복문%오애민%송세외%류성방%진위적
掺铝氧化锌衬底%GaN薄膜%低温生长
摻鋁氧化鋅襯底%GaN薄膜%低溫生長
참려양화자츤저%GaN박막%저온생장
利用射频磁控溅射在普通玻璃上制备了(0002)择优取向的ZnO:Al薄膜.采用电子回旋共振-等离子体增强金属有机物化学气相沉积(ECR-PEMOCVD)技术,在ZnO:Al薄膜衬底上沉积了厚度为320 nm的GaN薄膜.利用高能电子衍射(RHEED)、X射线衍射(XRD)、原子力显微镜(AFM)和光透射谱等表征方法,研究了沉积温度对GaN薄膜的结晶性、表面形貌和透射率的影响.
利用射頻磁控濺射在普通玻璃上製備瞭(0002)擇優取嚮的ZnO:Al薄膜.採用電子迴鏇共振-等離子體增彊金屬有機物化學氣相沉積(ECR-PEMOCVD)技術,在ZnO:Al薄膜襯底上沉積瞭厚度為320 nm的GaN薄膜.利用高能電子衍射(RHEED)、X射線衍射(XRD)、原子力顯微鏡(AFM)和光透射譜等錶徵方法,研究瞭沉積溫度對GaN薄膜的結晶性、錶麵形貌和透射率的影響.
이용사빈자공천사재보통파리상제비료(0002)택우취향적ZnO:Al박막.채용전자회선공진-등리자체증강금속유궤물화학기상침적(ECR-PEMOCVD)기술,재ZnO:Al박막츤저상침적료후도위320 nm적GaN박막.이용고능전자연사(RHEED)、X사선연사(XRD)、원자력현미경(AFM)화광투사보등표정방법,연구료침적온도대GaN박막적결정성、표면형모화투사솔적영향.
