CAJ | 학술논문

采用LiNbO3单晶靶材,以激光脉冲沉积方法在六方GaN(0001)基片上沉积制备c轴取向的LiNbO3薄膜.利用X射线衍射仪(XRD)、扫描电子显微镜(SEM)和原子力显微镜(AFM)研究了沉积温度和氧气压强对生长的薄膜的相组成、外延关系、表面形貌、晶粒大小的影响.结果显示,沉积温度500 ℃、氧分压20～30 Pa是在GaN基片上生长c轴取向LiNbO3薄膜的最优生长条件.XRD分析表明,生长的LiNbO3薄膜具有两种晶畴结构,其外延关系分别为[1-100](0001)LiNbO3//[11-20](0001)GaN和[10-10](0001)LiNbO3//[-12-10](0001)GaN.SEM和AFM对薄膜的表面形貌表征表明,在最优生长条件下沉积的薄膜表面平整,致密度好.
채용LiNbO3단정파재,이격광맥충침적방법재륙방GaN(0001)기편상침적제비c축취향적LiNbO3박막.이용X사선연사의(XRD)、소묘전자현미경(SEM)화원자력현미경(AFM)연구료침적온도화양기압강대생장적박막적상조성、외연관계、표면형모、정립대소적영향.결과현시,침적온도500 ℃、양분압20～30 Pa시재GaN기편상생장c축취향LiNbO3박막적최우생장조건.XRD분석표명,생장적LiNbO3박막구유량충정주결구,기외연관계분별위[1-100](0001)LiNbO3//[11-20](0001)GaN화[10-10](0001)LiNbO3//[-12-10](0001)GaN.SEM화AFM대박막적표면형모표정표명,재최우생장조건하침적적박막표면평정,치밀도호.