不同偏置条件的10位CMOS模数转换器的辐射效应
불동편치조건적10위CMOS모수전환기적복사효응
Radiation Effects of 10-bit CMOS Analog to Digital Converters Under Different Bias Conditions
  • 万方数据
    原子能科学技术 원자능과학기술
    ATOMIC ENERGY SCIENCE AND TECHNOLOGY
    2010年 10期 1252-1256 ,共5页

    陈睿%陆妩%任迪远%郑玉展%王义元%费武雄%李茂顺%兰博%崔江维

    진예%륙무%임적원%정옥전%왕의원%비무웅%리무순%란박%최강유

    模数转换器%60Co%γ辐照%室温退火%偏置条件 模數轉換器%60Co%γ輻照%室溫退火%偏置條件
    모수전환기%60Co%γ복조%실온퇴화%편치조건
    对10位CMOS ADC7910在不同偏置条件下的电离辐射效应及退火特性进行了研究.结果表明:模数混合电路在不同偏置条件下的电离辐照响应有很大的差异.与加电偏置相比,零偏下0.25 Gy/s (Si)剂量率辐照时的辐射损伤更严重.并对其损伤机理进行了初步探讨.
    대10위CMOS ADC7910재불동편치조건하적전리복사효응급퇴화특성진행료연구.결과표명:모수혼합전로재불동편치조건하적전리복조향응유흔대적차이.여가전편치상비,령편하0.25 Gy/s (Si)제량솔복조시적복사손상경엄중.병대기손상궤리진행료초보탐토.
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