材料导报
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재료도보
MATERIALS REVIEW
2011年
2期
51-53
,共3页
李郎楷%陈永杰%肖林久%杨英%刘婷婷
李郎楷%陳永傑%肖林久%楊英%劉婷婷
리랑해%진영걸%초림구%양영%류정정
氯硅酸镁钙%晶体格位%助激活离子
氯硅痠鎂鈣%晶體格位%助激活離子
록규산미개%정체격위%조격활리자
采用高温固相法合成了掺杂Ln(Ln=Gd3+,Cu+,Sm3+,Dy3+)作助激活离子的氯硅酸镁钙荧光粉.通过X射线衍射(XRD)对Ca8Mg(SiO4)4Cl2:Eu2+,Ln进行了表征.结果表明Ln的共掺杂并没有影响基质晶体的面心立方结构.所合成的荧光粉发射峰值位于507nm的绿光区.激发光谱在330~430nm之间均有较强吸收,与紫光InGaN芯片(395nm)相匹配.掺杂Ln作助激活荆增强了荧光粉的发光强度.借助Uitert经验公式计算出Eu2+在Ca8Mg(SiO4)4Cl2基质中占据八配位Ca(Ⅱ)格位.
採用高溫固相法閤成瞭摻雜Ln(Ln=Gd3+,Cu+,Sm3+,Dy3+)作助激活離子的氯硅痠鎂鈣熒光粉.通過X射線衍射(XRD)對Ca8Mg(SiO4)4Cl2:Eu2+,Ln進行瞭錶徵.結果錶明Ln的共摻雜併沒有影響基質晶體的麵心立方結構.所閤成的熒光粉髮射峰值位于507nm的綠光區.激髮光譜在330~430nm之間均有較彊吸收,與紫光InGaN芯片(395nm)相匹配.摻雜Ln作助激活荊增彊瞭熒光粉的髮光彊度.藉助Uitert經驗公式計算齣Eu2+在Ca8Mg(SiO4)4Cl2基質中佔據八配位Ca(Ⅱ)格位.
채용고온고상법합성료참잡Ln(Ln=Gd3+,Cu+,Sm3+,Dy3+)작조격활리자적록규산미개형광분.통과X사선연사(XRD)대Ca8Mg(SiO4)4Cl2:Eu2+,Ln진행료표정.결과표명Ln적공참잡병몰유영향기질정체적면심립방결구.소합성적형광분발사봉치위우507nm적록광구.격발광보재330~430nm지간균유교강흡수,여자광InGaN심편(395nm)상필배.참잡Ln작조격활형증강료형광분적발광강도.차조Uitert경험공식계산출Eu2+재Ca8Mg(SiO4)4Cl2기질중점거팔배위Ca(Ⅱ)격위.
