真空电子技术
真空電子技術
진공전자기술
VACUUM ELECTRONICS
2011年
6期
47-50
,共4页
Si-PIN探测器%离子注入%漏电流%能量分辨率
Si-PIN探測器%離子註入%漏電流%能量分辨率
Si-PIN탐측기%리자주입%루전류%능량분변솔
本文系统地介绍了Si-PIN探测器对带电粒子、中子、射线的探测原理.针对灵敏面积为φ30mm×420μm的Si-PIN探测器,详细地介绍了设计方法和工艺流程,并指出了影响探测器性能的关键工艺.采用离子注入和平面工艺不仅能够降低漏电流,提高探测器的能量分辨率,而且使得探测器对高温环境和真空都很稳定.最后初步介绍了探测器的电特性(I-V特性,C-V特性)的变化趋势,以及探测特性参数的测量方法.
本文繫統地介紹瞭Si-PIN探測器對帶電粒子、中子、射線的探測原理.針對靈敏麵積為φ30mm×420μm的Si-PIN探測器,詳細地介紹瞭設計方法和工藝流程,併指齣瞭影響探測器性能的關鍵工藝.採用離子註入和平麵工藝不僅能夠降低漏電流,提高探測器的能量分辨率,而且使得探測器對高溫環境和真空都很穩定.最後初步介紹瞭探測器的電特性(I-V特性,C-V特性)的變化趨勢,以及探測特性參數的測量方法.
본문계통지개소료Si-PIN탐측기대대전입자、중자、사선적탐측원리.침대령민면적위φ30mm×420μm적Si-PIN탐측기,상세지개소료설계방법화공예류정,병지출료영향탐측기성능적관건공예.채용리자주입화평면공예불부능구강저루전류,제고탐측기적능량분변솔,이차사득탐측기대고온배경화진공도흔은정.최후초보개소료탐측기적전특성(I-V특성,C-V특성)적변화추세,이급탐측특성삼수적측량방법.
