物理学报
物理學報
물이학보
2001年
8期
1627-1631
,共5页
刘波%施朝淑%周东方%戚泽明%胡关钦%汤洪高
劉波%施朝淑%週東方%慼澤明%鬍關欽%湯洪高
류파%시조숙%주동방%척택명%호관흠%탕홍고
PbWO4%Y和Gd掺杂%热释光%陷阱
PbWO4%Y和Gd摻雜%熱釋光%陷阱
PbWO4%Y화Gd참잡%열석광%함정
通过热释光方法研究了PbWO4 (PWO), PWO:Y3+, PWO:Gd3+多晶粉末及PWO,PWO:Y单晶的低温(<300K)热释光现象.多晶粉末中，掺杂Y3+或Gd3+都会大大降低甚至消除200K附近的热释光峰，同时产生新的热释光峰，分别位于125和150K（掺Y掺Gd）.这表明掺三价离子除了起到电荷补偿作用以减少Pb3+，O-浓度外，还可以产生新的陷阱能级.对于PWO:Y单晶，掺杂Y3+可以消除253K的热释光峰，即消除较深(～0.89eV)的陷阱,但PWO单晶中较浅的陷阱(～0.42eV)对应130K热释光峰仍然存在，对此进行讨论，它最可能源于氧空位缺陷.根据Pb3+，Gd3+，Y3+的电子库仑势不同，在PWO晶体中替代Pb2+后形成的电子陷阱深度有别（EPb>EGd>EY），从而解释了相应的热释光峰值温度的不同.
通過熱釋光方法研究瞭PbWO4 (PWO), PWO:Y3+, PWO:Gd3+多晶粉末及PWO,PWO:Y單晶的低溫(<300K)熱釋光現象.多晶粉末中，摻雜Y3+或Gd3+都會大大降低甚至消除200K附近的熱釋光峰，同時產生新的熱釋光峰，分彆位于125和150K（摻Y摻Gd）.這錶明摻三價離子除瞭起到電荷補償作用以減少Pb3+，O-濃度外，還可以產生新的陷阱能級.對于PWO:Y單晶，摻雜Y3+可以消除253K的熱釋光峰，即消除較深(～0.89eV)的陷阱,但PWO單晶中較淺的陷阱(～0.42eV)對應130K熱釋光峰仍然存在，對此進行討論，它最可能源于氧空位缺陷.根據Pb3+，Gd3+，Y3+的電子庫崙勢不同，在PWO晶體中替代Pb2+後形成的電子陷阱深度有彆（EPb>EGd>EY），從而解釋瞭相應的熱釋光峰值溫度的不同.
통과열석광방법연구료PbWO4 (PWO), PWO:Y3+, PWO:Gd3+다정분말급PWO,PWO:Y단정적저온(<300K)열석광현상.다정분말중，참잡Y3+혹Gd3+도회대대강저심지소제200K부근적열석광봉，동시산생신적열석광봉，분별위우125화150K（참Y참Gd）.저표명참삼개리자제료기도전하보상작용이감소Pb3+，O-농도외，환가이산생신적함정능급.대우PWO:Y단정，참잡Y3+가이소제253K적열석광봉，즉소제교심(～0.89eV)적함정,단PWO단정중교천적함정(～0.42eV)대응130K열석광봉잉연존재，대차진행토론，타최가능원우양공위결함.근거Pb3+，Gd3+，Y3+적전자고륜세불동，재PWO정체중체대Pb2+후형성적전자함정심도유별（EPb>EGd>EY），종이해석료상응적열석광봉치온도적불동.
