半导体学报
半導體學報
반도체학보
CHINESE JOURNAL OF SEMICONDUCTORS
2003年
z1期
51-55
,共5页
钱家骏%徐波%陈涌海%叶小玲%韩勤%王占国
錢傢駿%徐波%陳湧海%葉小玲%韓勤%王佔國
전가준%서파%진용해%협소령%한근%왕점국
应变自组装量子点%电致发光谱%InAs量子点结构%量子点激光器%MBE生长
應變自組裝量子點%電緻髮光譜%InAs量子點結構%量子點激光器%MBE生長
응변자조장양자점%전치발광보%InAs양자점결구%양자점격광기%MBE생장
采用MBE技术生长应变自组装InAs/GaAs量子点微结构材料,以这种纳米尺度微结构材料作有源层制备出激光二极管.研究了材料的光致发光和器件电致发光的特性.条宽为100μm、腔长为1.6mm,腔面未经镀膜的量子点激光二极管,室温下最大光功率输出为2.74W.
採用MBE技術生長應變自組裝InAs/GaAs量子點微結構材料,以這種納米呎度微結構材料作有源層製備齣激光二極管.研究瞭材料的光緻髮光和器件電緻髮光的特性.條寬為100μm、腔長為1.6mm,腔麵未經鍍膜的量子點激光二極管,室溫下最大光功率輸齣為2.74W.
채용MBE기술생장응변자조장InAs/GaAs양자점미결구재료,이저충납미척도미결구재료작유원층제비출격광이겁관.연구료재료적광치발광화기건전치발광적특성.조관위100μm、강장위1.6mm,강면미경도막적양자점격광이겁관,실온하최대광공솔수출위2.74W.
