CAJ | 학술논문

HB-GaAs (100) 片要偏离生长截面54.7°～60°切割(〈100〉和〈111〉之间的夹角是54.7°).如果籽晶方向与〈100〉之间的夹角少于54.7°,称为反偏籽晶.而采用大于54.7°角生长的单晶切割比较困难,尤其是厚度小于300 μm的晶片.为了减少切割难度,可生长反偏籽晶的单晶,但要保证单晶能割出Φ2″(100)圆片,必须增加单晶锭的截面积.由于GaAs的热导率小,大截面单晶生长要困难得多.通过改变固液截面附近的加热元件结构,在特定方向加强了散热,延伸了温度梯度的线性范围,使用反偏籽晶,成功地生长了Φ2″ HB-GaAs单晶.和正偏籽晶单晶相比,这些单晶锭的切割破损率减少了24%,每100 mm长度出片数增加了30%.
HB-GaAs (100) 편요편리생장절면54.7°～60°절할(〈100〉화〈111〉지간적협각시54.7°).여과자정방향여〈100〉지간적협각소우54.7°,칭위반편자정.이채용대우54.7°각생장적단정절할비교곤난,우기시후도소우300 μm적정편.위료감소절할난도,가생장반편자정적단정,단요보증단정능할출Φ2″(100)원편,필수증가단정정적절면적.유우GaAs적열도솔소,대절면단정생장요곤난득다.통과개변고액절면부근적가열원건결구,재특정방향가강료산열,연신료온도제도적선성범위,사용반편자정,성공지생장료Φ2″ HB-GaAs단정.화정편자정단정상비,저사단정정적절할파손솔감소료24%,매100 mm장도출편수증가료30%.