电路与系统学报
電路與繫統學報
전로여계통학보
JOURNAL OF CIRCUITS AND SYSTEMS
2005年
1期
144-146
,共3页
准浮栅%超低压%混频器%CMOS
準浮柵%超低壓%混頻器%CMOS
준부책%초저압%혼빈기%CMOS
讨论分析了准浮栅晶体管的工作原理、电气特性及其等效电路.基于准浮栅NMOS晶体管,对Gilbert混频器电路结构进行改进设计,实现了超低压混频器.基于TSMC 0.25μm CMOS工艺的BSIM3V3模型,采用Hspice对混频器进行了仿真,仿真结果显示,该混频器在0.6V的单电源电压下,仍可以对2.4GHz的正弦信号进行混频,转换增益为-21.8dB,三阶输入截止点的值为34.6dB.
討論分析瞭準浮柵晶體管的工作原理、電氣特性及其等效電路.基于準浮柵NMOS晶體管,對Gilbert混頻器電路結構進行改進設計,實現瞭超低壓混頻器.基于TSMC 0.25μm CMOS工藝的BSIM3V3模型,採用Hspice對混頻器進行瞭倣真,倣真結果顯示,該混頻器在0.6V的單電源電壓下,仍可以對2.4GHz的正絃信號進行混頻,轉換增益為-21.8dB,三階輸入截止點的值為34.6dB.
토론분석료준부책정체관적공작원리、전기특성급기등효전로.기우준부책NMOS정체관,대Gilbert혼빈기전로결구진행개진설계,실현료초저압혼빈기.기우TSMC 0.25μm CMOS공예적BSIM3V3모형,채용Hspice대혼빈기진행료방진,방진결과현시,해혼빈기재0.6V적단전원전압하,잉가이대2.4GHz적정현신호진행혼빈,전환증익위-21.8dB,삼계수입절지점적치위34.6dB.
