物理学报
物理學報
물이학보
2006年
11期
5829-5834
,共6页
电子全息%生长极性%极化
電子全息%生長極性%極化
전자전식%생장겁성%겁화
介绍一种通过用电子全息方法测定GaN/AlGaN多量子阱结构生长极性的方法.该方法可以分别测量多量子阱结构中各层内建电场方向.由于多量子阱结构中的内建电场是由各层膜中的极化共同作用产生的,电场的方向和生长极性有确定的对应关系,所以通过测定内建电场的方向就可以确定结构的生长极性.还用会聚束电子衍射方法对电子全息方法的测定结果进行了验证.
介紹一種通過用電子全息方法測定GaN/AlGaN多量子阱結構生長極性的方法.該方法可以分彆測量多量子阱結構中各層內建電場方嚮.由于多量子阱結構中的內建電場是由各層膜中的極化共同作用產生的,電場的方嚮和生長極性有確定的對應關繫,所以通過測定內建電場的方嚮就可以確定結構的生長極性.還用會聚束電子衍射方法對電子全息方法的測定結果進行瞭驗證.
개소일충통과용전자전식방법측정GaN/AlGaN다양자정결구생장겁성적방법.해방법가이분별측량다양자정결구중각층내건전장방향.유우다양자정결구중적내건전장시유각층막중적겁화공동작용산생적,전장적방향화생장겁성유학정적대응관계,소이통과측정내건전장적방향취가이학정결구적생장겁성.환용회취속전자연사방법대전자전식방법적측정결과진행료험증.
