半导体学报
半導體學報
반도체학보
CHINESE JOURNAL OF SEMICONDUCTORS
2007年
2期
265-268
,共4页
高建霞%宋国峰%甘巧强%徐云%郭宝山%陈良惠
高建霞%宋國峰%甘巧彊%徐雲%郭寶山%陳良惠
고건하%송국봉%감교강%서운%곽보산%진량혜
近场光学%纳米孔径垂直腔面发射激光器%输出光功率%光学特性
近場光學%納米孔徑垂直腔麵髮射激光器%輸齣光功率%光學特性
근장광학%납미공경수직강면발사격광기%수출광공솔%광학특성
在850 nm波长垂直腔面发射激光器的基础上制备了纳米孔径垂直腔面发射激光器.当小孔尺寸为400 nm×400 nm时,在25 mA驱动电流下,其最大输出光功率达到了0.3 mW,功率密度约为2 mW/μm2.文中介绍了纳米孔径垂直腔面发射激光器的制备工艺,并对它的光谱特性和寿命特性进行了分析.
在850 nm波長垂直腔麵髮射激光器的基礎上製備瞭納米孔徑垂直腔麵髮射激光器.噹小孔呎吋為400 nm×400 nm時,在25 mA驅動電流下,其最大輸齣光功率達到瞭0.3 mW,功率密度約為2 mW/μm2.文中介紹瞭納米孔徑垂直腔麵髮射激光器的製備工藝,併對它的光譜特性和壽命特性進行瞭分析.
재850 nm파장수직강면발사격광기적기출상제비료납미공경수직강면발사격광기.당소공척촌위400 nm×400 nm시,재25 mA구동전류하,기최대수출광공솔체도료0.3 mW,공솔밀도약위2 mW/μm2.문중개소료납미공경수직강면발사격광기적제비공예,병대타적광보특성화수명특성진행료분석.
