CAJ | 학술논문

采用中频交流磁控溅射方法,在Mo层上沉积了CuInGa(CIG)预制膜.分别以N2和Ar为载气,采用硒蒸汽硒化法制备了Cu(In1-xGax)Se2(CIGS)吸收层薄膜,考察了N2和Ar流量对CIGS薄膜结构和形貌的影响.采用SEM和EDS观察和分析了薄膜的表面形貌和成分,采用XRD表征了薄膜的组织结构.结果表明,采用Ar和N2为载气时,在各个流量下所制备的CIGS薄膜均为黄铜矿相结构,薄膜具有(112)面的择优取向.采用Ar为载气时,当Ar流量为0.10 m3/h时,所获得的CIGS薄膜的孔隙最少,随着Ar流量的增大,薄膜孔隙增多,变得疏松.采用N2为载气时,当N2流量为0.10 m3/h、0.20 m3/h、0.30 m3/h时,所获得的CIGS薄膜孔隙较多,当N2增大到0.40 m3/h时,薄膜变得致密,所获得的CIGS的Cu、In、Ga原子含量,处于制备弱p型CIGS薄膜的理想范围.
채용중빈교류자공천사방법,재Mo층상침적료CuInGa(CIG)예제막.분별이N2화Ar위재기,채용서증기서화법제비료Cu(In1-xGax)Se2(CIGS)흡수층박막,고찰료N2화Ar류량대CIGS박막결구화형모적영향.채용SEM화EDS관찰화분석료박막적표면형모화성분,채용XRD표정료박막적조직결구.결과표명,채용Ar화N2위재기시,재각개류량하소제비적CIGS박막균위황동광상결구,박막구유(112)면적택우취향.채용Ar위재기시,당Ar류량위0.10 m3/h시,소획득적CIGS박막적공극최소,수착Ar류량적증대,박막공극증다,변득소송.채용N2위재기시,당N2류량위0.10 m3/h、0.20 m3/h、0.30 m3/h시,소획득적CIGS박막공극교다,당N2증대도0.40 m3/h시,박막변득치밀,소획득적CIGS적Cu、In、Ga원자함량,처우제비약p형CIGS박막적이상범위.